公开(公告)号：CN114400288A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202111599208.6

申请日：2021-12-24

Applicant: 上海应用技术大学 ,  江苏亚邦染料股份有限公司

Inventor： 王军 ,  王新宇 ,  詹国清 ,  李栋 ,  王桂东

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及有机场效应晶体管器件技术领域，尤其是涉及一种双极型有机场效应晶体管及其制备方法。本发明中的双极型有机场效应晶体管由栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层和源/漏电极组成；栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层依次叠放；源/漏电极与栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层构成底栅底、底栅顶、顶栅底或顶栅顶结构的双极型有机场效应晶体管。本发明制备得到的双极型有机场效应晶体管实现了真正的双极型OFET。

公开(公告)号：CN115537971B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202211162168.3

申请日：2022-09-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 李栋 ,  王军 ,  李俊

IPC: D01F8/18 ,  D01F9/08 ,  D01D5/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种氧化物纳米纤维及其制备方法、一种双极性薄膜晶体管及其制备方法。本发明提供了一种氧化物纳米纤维，包括纤维芯和依次包覆在所述纤维芯外表面的第一包覆层和第二包覆层；所述纤维芯包括P型半导体材料；所述第一包覆层包括氧化铝；所述第二包覆层包括N型半导体材料。将本发明提供的氧化物纳米纤维作为有源层的制备材料应用于双极性薄膜晶体管中，能够构建有源层和绝缘层的三维界面结构，提升晶体管的栅控能力；同时通过调整纳米氧化物纤维的定向分布，实现双极性载流子传输，提升晶体管的载流子迁移率，降低双极性薄膜晶体管的功耗，进而制备得到高性能的双极性薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN115537971A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211162168.3

申请日：2022-09-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 李栋 ,  王军 ,  李俊

IPC: D01F8/18 ,  D01F9/08 ,  D01D5/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种氧化物纳米纤维及其制备方法、一种双极性薄膜晶体管及其制备方法。本发明提供了一种氧化物纳米纤维，包括纤维芯和依次包覆在所述纤维芯外表面的第一包覆层和第二包覆层；所述纤维芯包括P型半导体材料；所述第一包覆层包括氧化铝；所述第二包覆层包括N型半导体材料。将本发明提供的氧化物纳米纤维作为有源层的制备材料应用于双极性薄膜晶体管中，能够构建有源层和绝缘层的三维界面结构，提升晶体管的栅控能力；同时通过调整纳米氧化物纤维的定向分布，实现双极性载流子传输，提升晶体管的载流子迁移率，降低双极性薄膜晶体管的功耗，进而制备得到高性能的双极性薄膜晶体管。