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公开(公告)号：CN117135949A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311176517.1
申请日：2023-09-13
Applicant: 上海大学
IPC: H10K50/826 , H10K71/60
Abstract: 本发明提供了一种氮化钛基复合电极和顶发射OLED器件及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明在硅片表面依次设置钛层和氮化钛层，以其作为顶发射OLED器件的基底，利用低反射率的氮化钛层消弱了顶发射OLED器件中的微腔效应，进而致使顶发射OLED器件的角度依赖性降低；通过设置铝层，提高导电性和反射性；并且，钛层、氮化钛层和铝层具有优良的导电性，且能够相互匹配增强顶发射OLED器件的出光强度，降低顶发射OLED器件的角度依赖性；将该复合电极用于顶发射OLED器件的电极时，能够提高顶发射OLED器件的电流效率和出光强度。
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