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公开(公告)号：CN115140954A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210734519.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 上海大学
IPC: C03C25/6208 , C03B25/02
Abstract: 本发明涉及一种半导体芯光纤进行CO2激光退火优化改性的方法，包括如下步骤：1)激光退火前，使用光纤研磨机对半导体芯光纤端面进行研磨、抛光处理；2)将端面抛光后的半导体芯光纤置于实验台上，对CO2激光器设置不同的出光频率，对半导体芯光纤进行退火；3)通过拉曼mapping测试，检测不同频率激光退火后半导体芯结晶状态和残余应力；4)检测不同频率激光退火后半导体芯光纤损耗。本发明通过控制退火过程中CO2激光的出光频率调节光纤内部温场分布，有利于实现对光纤内部局域退火条件精确控制，从而提高光纤的性能，降低传输损耗。
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