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公开(公告)号：CN104876305A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510264773.5
申请日：2015-05-21
Applicant: 上海大学
IPC: C02F1/467 , C02F103/30
Abstract: 本发明公开了一种处理印染废水的铜掺杂涂层电极的制备方法，制备了铜掺杂的钛基锡锑氧化物涂层电极，属于电催化水处理技术领域。本发明方法的工艺过程如下：制备锡锑锰中间层涂液，均匀涂于经过表面预处理的钛板上鼓风干燥后，450-550℃煅烧1-3h。再将铜掺杂的锡锑活性层涂液，均匀涂于经过煅烧后的钛板表面，鼓风干燥后450-550℃煅烧1-3h，重复1次。此制备方法工艺简单，可控性好，活性层采用常见的铜掺杂，溶剂毒性和生产成本大大降低，所制电极具有较高的析氧过电位和较大的电容量，可以高效彻底地处理印染废水。
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公开(公告)号：CN104894598A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510264772.0
申请日：2015-05-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种浸渍提拉法和双离子束溅射法联合制备金属薄膜复合电极的方法，应用于电极材料制作领域。本发明采用浸渍提拉法制备中间层，鼓风干燥后500-600℃煅烧1-3h。再将其放入双离子束溅射仪中，溅射生长Cu纳米薄膜，快速退火后即可。此制备方法工艺简单，所需试剂量较少，活性层为纳米级Cu薄膜，性能稳定，电容量大，可以快速有效降解印染废水。
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公开(公告)号：CN104894598B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201510264772.0
申请日：2015-05-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种浸渍提拉法和双离子束溅射法联合制备金属薄膜复合电极的方法，应用于电极材料制作领域。本发明采用浸渍提拉法制备中间层，鼓风干燥后500‑600℃煅烧1‑3h。再将其放入双离子束溅射仪中，溅射生长Cu纳米薄膜，快速退火后即可。此制备方法工艺简单，所需试剂量较少，活性层为纳米级Cu薄膜，性能稳定，电容量大，可以快速有效降解印染废水。
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公开(公告)号：CN102198338A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110060985.3
申请日：2011-03-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种索氏提取器润洗方法，其实现步骤为：先在组装前索氏提取器的提取管底部放入一个上部带环的钢制空心圆柱体，其尺寸因索氏提取器的规格不同而不同；钢制空心圆柱体在润洗过程中不碰触提取管的内壁；在组装前索氏提取器的圆底烧瓶中加入少量的溶剂，然后把冷凝管、提取管和圆底烧瓶依次组装成完整的索氏提取器；保证索氏提取器中蒸汽管的通畅，将圆底烧瓶加热进行润洗。本发明润洗时使用的溶剂量为100ml-300ml，为传统润洗方法所需要量的1/2-2/3；润洗每次循环时间缩短为传统方法的1/3-1/2，因此在保证润洗循环次数相同的前提下，润洗时间为20-45分钟，缩短了1/2-2/3，本方法可以推广到其它类似的玻璃仪器的润洗中，有很大的实用价值。
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