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公开(公告)号：CN116859503A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310480119.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03C25/42 , C03C13/04
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射光纤及其制备方法，在光纤中掺杂重金属离子形成一层或多层抗辐射掺杂层，其中重金属离子掺杂于光纤的纤芯中、外包层中或涂覆层中。光纤内部通过原子层沉积技术、外层沉积技术或等离子外部气相沉积技术掺杂重金属离子形成抗辐射掺杂层，光纤外包层中利用套管法、SOOT法、等离子喷涂法或溶胶‑凝胶法掺杂重金属离子形成抗辐射掺杂层，掺杂的重金属离子为铅、铈、铋中的一种或几种。利用这些重金属离子具有较大的康普顿效应截面和丰富的价态的特点，能够更大程度的吸收和消耗γ射线，进而减少有源活性离子因为辐照而导致的发光劣化，借此降低有源光纤的辐照敏感性，提高了光纤的耐辐照性能。
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