公开(公告)号：CN105467512A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510941656.8

申请日：2015-12-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  刘文君 ,  庞拂飞 ,  陈振宜 ,  郭强

IPC: G02B6/02

CPC classification number: G02B6/0229 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种基于原子层沉积（ALD）技术的Bi/Al共掺石英光纤及制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯和包层组成，其特征在于所述纤芯是由Bi/Al/Ge共掺石英材料构成，所述包层为纯石英材料。本发明采用改进的化学气相沉积法（MCVD），在石英基管内沉积掺杂GeO2的二氧化硅疏松层，并将其半玻璃化；然后，利用ALD技术在基管内壁沉积氧化铋与Al2O3材料；最后，利用MCVD技术高温缩棒处理，得到掺杂光纤预制棒，并将其光纤拉丝。本发明中石英光纤的结构简单、合理，掺杂材料具有均一分散性、浓度可控、且光纤发光效率高与增益谱宽等优点，可用于构建光纤激光器、光纤放大器、宽带光源及光纤传感等场合。

公开(公告)号：CN105467512B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510941656.8

申请日：2015-12-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  刘文君 ,  庞拂飞 ,  陈振宜 ,  郭强

IPC: G02B6/02

Abstract: 本发明涉及一种基于原子层沉积（ALD）技术的Bi/Al共掺石英光纤及制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯和包层组成，其特征在于所述纤芯是由Bi/Al/Ge共掺石英材料构成，所述包层为纯石英材料。本发明采用改进的化学气相沉积法（MCVD），在石英基管内沉积掺杂GeO2的二氧化硅疏松层，并将其半玻璃化；然后，利用ALD技术在基管内壁沉积氧化铋与Al2O3材料；最后，利用MCVD技术高温缩棒处理，得到掺杂光纤预制棒，并将其光纤拉丝。本发明中石英光纤的结构简单、合理，掺杂材料具有均一分散性、浓度可控、且光纤发光效率高与增益谱宽等优点，可用于构建光纤激光器、光纤放大器、宽带光源及光纤传感等场合。