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公开(公告)号：CN118441245B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410667932.5
申请日：2024-05-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提出了一种掺杂氧的中熵合金/金属玻璃纳米层状薄膜及其制备方法，属于金属合金薄膜技术领域，采用直流磁控溅射法，在基底表面交替沉积软相中熵合金层与硬相金属玻璃层，两相呈交替的层状分布，调控两相的溅射功率与溅射时间，获得纳米层状薄膜。本发明操作简单，条件易于控制，重复性好，制得的薄膜界面清晰、厚度均匀、表面光滑平整，具有优异的力学性能，在高强度电子器件、耐磨以及抗腐蚀涂层等领域拥有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118441245A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410667932.5
申请日：2024-05-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提出了一种掺杂氧的中熵合金/金属玻璃纳米层状薄膜及其制备方法，属于金属合金薄膜技术领域，采用直流磁控溅射法，在基底表面交替沉积软相中熵合金层与硬相金属玻璃层，两相呈交替的层状分布，调控两相的溅射功率与溅射时间，获得纳米层状薄膜。本发明操作简单，条件易于控制，重复性好，制得的薄膜界面清晰、厚度均匀、表面光滑平整，具有优异的力学性能，在高强度电子器件、耐磨以及抗腐蚀涂层等领域拥有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118086833B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410110825.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法，属于合金材料及其制备技术领域。以含氧的CrCoNiO预合金化靶材为原料进行溅射，通过溅射参数的控制，得到氧原子掺杂量为12.5at.％的氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜。该CrCoNiO12.5薄膜能够在保持纳米晶高强度的同时获得超过50％压缩塑性而不在形变过程中产生任何剪切带。
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公开(公告)号：CN118086833A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410110825.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法，属于合金材料及其制备技术领域。以含氧的CrCoNiO预合金化靶材为原料进行溅射，通过溅射参数的控制，得到氧原子掺杂量为12.5at.％的氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜。该CrCoNiO12.5薄膜能够在保持纳米晶高强度的同时获得超过50％压缩塑性而不在形变过程中产生任何剪切带。
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