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公开(公告)号:CN111548005A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010449247.7
申请日:2020-05-25
Applicant: 上海大学
IPC: C03B37/027 , C03B37/025
Abstract: 本发明属于光纤技术领域,尤其涉及一种激光拉丝制备硅锗芯光纤的制备方法;包括石英管处理、预制棒组装、预制棒处理、激光拉丝步骤。本发明采用单晶硅、单晶锗组成内填充材料,填充到一端预先封闭的石英空芯管,组装成制成预制棒;单晶硅、单晶锗可采用半圆柱棒拼接、薄片交替叠加和粉末均匀混合的组合结构,灵活性高。本发明采用激光对预制棒进行加热直至石英管软化拉丝,硅材料和锗材料通过石英传导热达到熔融态,两种材料混合后为无限固溶体,可形成硅锗合金。本发明提供的制备方法,解决了现有技术中硅锗合金偏析的问题,实现了组分均匀的二元单相合金材料,制得了单晶形态的硅锗纤芯,改善了硅锗芯光纤的性能。