公开(公告)号：CN101788654A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010126280.2

申请日：2010-03-17

Applicant: 上海大学

Inventor： 任忠鸣 ,  任树洋 ,  任维丽 ,  操光辉 ,  邓康 ,  钟云波 ,  雷作胜

IPC: G01R33/16

Abstract: 本发明涉及一种测量磁化率各向异性的方法，属物质磁性之磁化率测量技术领域。本发明特点是利用薄膜在强磁场中发生取向的原理，通过XRD确定发生取向的磁场强度，通过SEM确定该磁场下薄膜的晶粒体积而计算出磁化率各向异性。易磁化轴磁化率χ||和垂直于易磁化轴磁化率χ⊥在300K时满足

公开(公告)号：CN101555583A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910050331.5

申请日：2009-04-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 任忠鸣 ,  任树洋 ,  任维丽 ,  操光辉 ,  邓康 ,  钟云波 ,  雷作胜

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种在真空蒸发制膜过程中控制薄膜取向的方法，属真空蒸发沉积薄膜工艺技术领域。本发明的特点是在传统普通常用的真空蒸发沉积装置的基础上，在其外侧加置一强磁场发生装置，其磁场强度要求大于4T(特斯拉)，由于磁场对金属薄膜不同晶向磁能差异而引起晶体取向的择优生长，从而达到通过调节磁场强度来控制薄膜取向的目的。

公开(公告)号：CN101376173A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810200307.0

申请日：2008-09-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 任忠鸣 ,  任树洋 ,  任维丽 ,  操光辉 ,  邓康 ,  钟云波 ,  雷作胜

IPC: B22F9/12

Abstract: 本发明提供一种控制纳米粉体粒径的方法，该法不需要改动制备装置，只需要在以电阻、高频感应、等离子体、电子束、激光等为加热源的蒸发冷凝法制备纳米粉体过程中，在蒸发冷凝处施加0.1～14T的超导强磁场。由于磁场改变蒸发原子的临界形核能进而改变其形核浓度和形核速度，从而达到通过调节磁场强度来控制纳米粉体粒径的目的。该法提高蒸发冷凝法制备纳米粉体的效率，均一性和粒径调节的范围。