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公开(公告)号：CN104741975A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310753583.0
申请日：2013-12-31
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅片研磨方法，其特征在于，采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为265kg-275kg，转速4-6转/min，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第二级压力为140kg-160kg，转速14-16，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第三极压力为110kg-120kg，转速24-26，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第四级压力为90kg-110kg，转速28-32，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第五级压力为65kg-75kg，转速34-36，转速比为0.4-0.6，研磨时间9-11min；各级压力转换之间间隔时间为5-15秒。本发明中的硅片研磨方法，使用PWA9研磨砂，研磨成本可降低10%。而且研磨的产品良率高，因线痕及碎片导致的不良率降低至0.5%。
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公开(公告)号：CN105313000A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410370771.X
申请日：2014-07-30
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种晶片抛光方法，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。本发明中的晶片抛光方法，抛光片的不良率降至0.5％以下，大大提高了产品良率，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102343563A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110231810.4
申请日：2011-08-14
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
IPC分类号： B24D13/14
摘要： 本发明公开了一种硅片抛光大盘，其特征在于，所述大盘表面设置有流通槽；所述大盘表面设置有液体出口；液体出口与流通槽连通；所述液体出口位于距圆心三分之一至三分之二半径之间；液体自液体出口进入流通槽内后分别向大盘圆心方向和大盘边缘方向流动；大盘表面还设置有液体进口，液体进口与流通槽连通；液体自液体出口进入流通槽后，再经液体进口排出。本发明中的抛光大盘，冷却水自液体出口输送至大盘表面后，分别向圆心方向和边缘方向流动，分别冷却抛光布，缩短了冷却水在进行热交换时的流程，可以更有效地控制抛光布的温度。本发明中的抛光大盘，各处的抛光布温度均匀，因此能够将改善抛光片TTV水平。使用本发明中的抛光大盘，TTV≤3um的硅片比例可达到99.5％。
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公开(公告)号：CN104742003A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310753581.1
申请日：2013-12-31
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
IPC分类号： B24B29/02
摘要： 本发明公开了一种硅单晶片抛光方法，其特征在于，抛光过程中，使用水冷却硅单晶片，水的温度为20℃-30℃。本发明中的硅单晶片抛光方法，冷却水的温度接近抛光温度，一方面可以迅速提升抛光温度，改善抛光移除速率，缩短低温抛光过程；另一方面，可以稳定抛光机大盘形貌，减少因大盘形貌变化引起的加工产品平坦度变异。使用本发明方法，硅单晶片局部平整度STIR（SBIR）≤1μm@15*15mm2良率达到95%以上。
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公开(公告)号：CN102343562A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110231904.1
申请日：2011-08-14
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
IPC分类号： B24D13/00
摘要： 本发明公开了一种延长抛光布垫使用寿命的方法，其特征在于，在抛光布垫使用过程中，使用KOH水溶液清洗抛光布垫。本发明中，利用KOH水溶液清洗抛光布垫，可有效去除抛光布垫表面沉积的物质，缓解抛光布垫表面的板结现象。使用本发明方法处理的抛光布垫使用1500分钟时的移除率，与未使用本发明方法处理的抛光布垫使用1200分钟时的移除率相同，也就是说本发明方法可将抛光布垫的使用寿命延长300分钟。
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公开(公告)号：CN102343563B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201110231810.4
申请日：2011-08-14
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
IPC分类号： B24D13/14
摘要： 本发明公开了一种硅片抛光大盘，其特征在于，所述大盘表面设置有流通槽；所述大盘表面设置有液体出口；液体出口与流通槽连通；所述液体出口位于距圆心三分之一至三分之二半径之间；液体自液体出口进入流通槽内后分别向大盘圆心方向和大盘边缘方向流动；大盘表面还设置有液体进口，液体进口与流通槽连通；液体自液体出口进入流通槽后，再经液体进口排出。本发明中的抛光大盘，冷却水自液体出口输送至大盘表面后，分别向圆心方向和边缘方向流动，分别冷却抛光布，缩短了冷却水在进行热交换时的流程，可以更有效地控制抛光布的温度。本发明中的抛光大盘，各处的抛光布温度均匀，因此能够将改善抛光片TTV水平。使用本发明中的抛光大盘，TTV≤3um的硅片比例可达到99.5％。
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公开(公告)号：CN202200192U
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201120294077.6
申请日：2011-08-14
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
IPC分类号： B24D13/14
摘要： 本实用新型公开了一种硅片抛光大盘，其特征在于，所述大盘表面设置有流通槽；所述大盘表面设置有液体出口；液体出口与流通槽连通；所述液体出口位于距圆心三分之一至三分之二半径之间；液体自液体出口进入流通槽内后分别向大盘圆心方向和大盘边缘方向流动；大盘表面还设置有液体进口，液体进口与流通槽连通；液体自液体出口进入流通槽后，再经液体进口排出。本实用新型中的抛光大盘，冷却水自液体出口输送至大盘表面后，分别向圆心方向和边缘方向流动，分别冷却抛光布，缩短了冷却水在进行热交换时的流程，可以更有效地控制抛光布的温度。本实用新型中的抛光大盘，各处的抛光布温度均匀，因此能够将改善抛光片TTV水平。使用本实用新型中的抛光大盘，TTV≤3μm的硅片比例可达到99.5％。
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公开(公告)号：CN203665284U
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201420207651.3
申请日：2014-04-25
申请人： 上海合晶硅材料有限公司
IPC分类号： B24B29/02
摘要： 本实用新型提供一种晶圆抛光装置，其包括有至少一圆盘形的抛头、至少一导轮、一中心轮、至少一陶瓷盘和一磨床，陶瓷盘设置于磨床上，抛头抵接陶瓷盘于磨床上，陶瓷盘用于与磨床相对运动以对晶圆进行抛光，导轮和中心轮与陶瓷盘的外圆周的侧边滚动接触，导轮通过一环设于导轮的外圆周的侧边的抵接部与抛头抵接；抛头与陶瓷盘之间设置有一弹性材料制成的缓冲层，抛头与缓冲层之间设置有一压力调整机构，压力调整机构用于调整抛头对缓冲层的压力施加的位置和大小。通过设置缓冲层和在导轮上设置抵接部，减少了抛头的摆动并降低了抛头摆动对抛光作业的影响，进而避免了橘皮纹的产生，提高了良品率。
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