-
公开(公告)号：CN118300725A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410335151.6
申请日：2024-03-22
Applicant: 上海卫星工程研究所
IPC: H04B17/391 , H04L1/00 , H04L25/02
Abstract: 本发明提供了一种高斯信道下的基带信号仿真方法及系统，包括步骤S1：采集并处理信号数据；步骤S2：发射处理过后的信号数据；步骤S3：接收信号数据，调整完毕后得到最终的解调输出。本发明具有良好的适用性和通用性，规范了终端‑卫星上行信号与卫星‑终端下行信号的处理方法，可用于指导终端‑卫星上行信号与卫星‑终端下行信号仿真软件设计；改变了终端‑卫星上行信号与卫星‑终端下行信号仿真方式各异的现状，灵活、快速的基带信号仿真方法使得终端‑卫星上行信号与卫星‑终端下行信号的应用分析更为快捷方便。
-
公开(公告)号：CN115752979A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211481438.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 上海卫星工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种卫星振动试验斜面上振动响应采集和转换方法及系统，包括：获取斜面与卫星坐标系的角度关系；在斜面上布置三向加速度传感器；对卫星进行正弦扫频振动试验，传感器采集测量坐标系三个正交方向上的振动响应频谱；对测量坐标系进行旋转形成新坐标系，并将三向振动响应频谱转换至该坐标系下；对旋转形成新坐标系进行第二次旋转，转换后的三向振动响应频谱转换至该坐标系下，得到转换至卫星坐标系下的三向振动响应频谱。本发明可用于星上大部件振动试验斜面上振动响应采集和转换处理。本发明经济、简单，直接在斜面上安装传感器而无需使用楔形块进行转接，可以获得斜面在卫星坐标系下的振动响应，达到与使用楔形块转接后相同的效果。
-
公开(公告)号：CN110554421A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910749304.0
申请日：2019-08-14
Applicant: 上海卫星工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于星上敏感器件总剂量损伤的幸存概率、故障影响传递概率和在轨辐射损伤时间T，建立元器件PIT模型，识别在轨卫星的元器件总剂量损伤薄弱点。本发明的星上敏感元器件总剂量损伤的薄弱点鉴别方法，以敏感元器件辐照试验数据和在轨辐射损伤时间作为模型输入，通过对星上元器件的损伤故障时间归一化处理，识别卫星元器件抗总剂量损伤的薄弱点，评估总剂量损伤严重程度，可对卫星电子器件总剂量损伤的薄弱点进行抗加设计和改进，满足未来卫星在轨任务需求和提高可靠度。
-
公开(公告)号：CN115752980A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211482312.1
申请日：2022-11-24
Applicant: 上海卫星工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种卫星三向振动响应数据处理方法及系统，包括：步骤S1：在星上预设部位布置三向加速度传感器；步骤S2：对卫星进行单方向的正弦扫频振动试验，利用三向加速度传感器采集测点在三个正交方向上的振动响应频谱；步骤S3：对获得的三向振动响应频谱进行合成处理，得到三向合成振动响应幅值谱，用于处理星上部件三向振动响应数据。本发明相对于传统的三向独立的振动响应幅值谱或仅主振向振动响应的幅值谱，本发明得到的三向合成振动响应幅值谱可以更真实、全面地反映星上产品在整星正弦扫频振动试验中实际经受的力学环境，提高对整星振动数据分析的全面性，提高对星上产品正弦扫频振动试验条件对整星力学环境的覆盖性及余量评价的准确性。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107782520B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710868972.6
申请日：2017-09-22
Applicant: 上海卫星工程研究所
IPC: G01M7/02
Abstract: 本发明提供了一种微小卫星随机振动试验下凹控制方法，其主要步骤有：完成卫星与振动台的安装、调试及试验测点确认后，先进行正弦扫频试验，再进行小量级的随机振动摸底试验，确定卫星的共振频段及响应放大情况，对于相对于输入功率谱密度放大较大的频段，根据放大倍数、位移幅值和峰值频率明确下凹量级、下凹频段宽度，进行下凹处理，再进行随机振动满振试验，试验后进行卫星及设备状态确认，然后进行正弦扫频试验，并比较前后两次扫频试验各测点的响应曲线一致性，转换试验振动台或卫星方向，完成剩余方向试验直至试验结束。本发明简单易行，可以保证微小卫星整星级随机振动试验安全、有效的开展。
-
公开(公告)号：CN105005657B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510408521.5
申请日：2015-07-13
Applicant: 上海卫星工程研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种预测卫星热控涂层在轨性能退化的方法，其包括如下步骤：S1：建立卫星在轨运行时的热控涂层材料的热平衡方程：(1)；S2：提取在轨卫星的热控涂层附近每天的温度遥测数据；S3：将S、Er0、Ei0、εh、T、代入公式(1)，利用得到每一天的αS值；S4：绘制αS随在轨时间的变化曲线；S5：利用αS随时间变化的特性建立数学模型：为在轨初期的太阳吸收率；a、b、c为常数，根据不同热控涂层材料在轨衰减特性拟合得到。
-
公开(公告)号：CN103698680B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310658892.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 上海卫星工程研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，包括：MOS器件抗总剂量生存概率与空间环境指标要求、总剂量余量之间的关系在对数正态分布下的情况，批次性器件的抗总剂量生存概率与总剂量效应失效阈值标准差σ有关，控制σ可以在有限的总剂量余量下提高生存概率。本发明只需要控制总剂量效应失效阈值标准差σ即可实现对元器件在空间环境中的抗总剂量生存概率的预估，效率有了很大的提高。
-
公开(公告)号：CN103698680A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310658892.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 上海卫星工程研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，包括：MOS器件抗总剂量生存概率与空间环境指标要求、总剂量余量之间的关系在对数正态分布下的情况，批次性器件的抗总剂量生存概率与总剂量效应失效阈值标准差σ有关，控制σ可以在有限的总剂量余量下提高生存概率。本发明只需要控制总剂量效应失效阈值标准差σ即可实现对元器件在空间环境中的抗总剂量生存概率的预估，效率有了很大的提高。
-
公开(公告)号：CN102495302A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110362461.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海卫星工程研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种元器件分类检测法，包括：对元器件的辐照测试数据进行统计分析，得到耐量的几何平均值和对数标准方差SlnD；根据所述耐量的几何平均值计算出RDM值：查正态分布的单侧容许限表，根据给定样本容量n、置信度C和可靠度Ps条件时的单侧容许限系数K；根据对数标准方差SlnD以及单侧容许限系数K计算PCC值：比较RDM值以及PCC值，确定元器件的分类。本发明只需要用较小的样本容量即可实现对元器件的分类，效率有了很大的提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.03 seconds)
