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公开(公告)号：CN103424805A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210558152.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种Y分叉结构1×2光功率分配器，即本分配器包括高阶模式抑制区、分叉区和模场分离区，高阶模式抑制区由输入锥形波导、模式抑制波导和输出锥形波导依次衔接组成，分叉区由两条单模直波导一端交叉连接组成，输出锥形波导连接两条单模直波导的交叉端，模场分离区由两条S形单模波导构成，两条S形单模波导一端分别连接两条单模直波导另一端。本分配器具有工作带宽大，插入损耗小，功率均分性不受输入信号高阶模式影响，满足各类光网络中信号传输的要求。
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公开(公告)号：CN103885120A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210558146.9
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种紧密级联型光功率分配器，即本分配器包括一个输入波导、N个输出波导和分叉区，分叉区包括级联的个光功率分配器单元，级联数，级联的个光功率分配器单元首级输入端连接输入波导、末级输出端由多段弧形波导和/或多段直波导分别连接N个输出波导，除第一级光功率分配器单元外，任意光功率分配器单元对称轴与所述输入波导轴线相交，所述个光功率分配器单元之间由单段弧形波导连接。本光功率分配器有效提高了集成度，其器件长度小于传统光功率分配器，且随级数增长较慢，能在级联数较高的情况下保持较小的外形尺寸，减小了光器件的插入损耗，具有带宽高、功率分配均匀等优点。
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公开(公告)号：CN103882407A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210558161.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在石英基底表面制备二氧化硅膜的方法，即将石英基底置于载物台，利用氢氧焰高温水解反应在石英基底表面分别依次生长下包层、芯层和上包层，各层生长时氢氧枪选择通入SiCl4、H2、O2、GeCl4、BCl3、POCl3气体，并控制各气体的通气量、载物台温度和生长速度，得到不同厚度的下包层、芯层和上包层，各层生长完毕后分别在真空快速退火炉中进行退火处理，并控制退火炉的升降温速度及保温时间，得到石英基底表面的二氧化硅膜。本方法克服了传统制备方法的缺陷，实现二氧化硅膜折射率的可调，避免退火过程中二氧化硅晶体的析出，提高了制膜效率和质量。
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公开(公告)号：CN203025377U
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201220709958.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本实用新型公开了一种Y分叉结构1×2光功率分配器，即本分配器包括高阶模式抑制区、分叉区和模场分离区，高阶模式抑制区由输入锥形波导、模式抑制波导和输出锥形波导依次衔接组成，分叉区由两条单模直波导一端交叉连接组成，输出锥形波导连接两条单模直波导的交叉端，模场分离区由两条S形单模波导构成，两条S形单模波导一端分别连接两条单模直波导另一端。本分配器具有工作带宽大，插入损耗小，功率均分性不受输入信号高阶模式影响，满足各类光网络中信号传输的要求。
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公开(公告)号：CN203311027U
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201220710006.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本实用新型公开了一种紧密级联型1×N光功率分配器，即本分配器包括一个输入波导、N个输出波导和分叉区，分叉区包括级联的个光功率分配器单元，级联数，级联的个光功率分配器单元首级输入端连接输入波导、末级输出端由多段弧形波导和/或多段直波导分别连接N个输出波导，除第一级光功率分配器单元外，其余光功率分配器单元对称轴与所述输入波导轴线相交，所述个光功率分配器单元之间由单段弧形波导连接。本光功率分配器有效提高了集成度，其器件长度小于传统光功率分配器，且随级数增长较慢，能在级联数较高的情况下保持较小的外形尺寸，减小了光器件的插入损耗，具有带宽高、功率分配均匀等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104155731B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310175051.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 上海鸿辉光通科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种PLC芯片的粘接方法，包括以下步骤：将晶圆和盖板放置于晶圆粘接机的真空夹具上，确保其表面没有灰尘或无尘布碎屑；在晶圆上表面的中心点滴加胶水，待胶水自然扩散；将晶圆和盖板相互粘接，使胶水流向晶圆的边缘，并控制晶圆和盖板之间的胶水层厚度在30-50μm；通过UV灯照射进行初步固化；再放入烤箱内烘烤，进一步固化。本发明方法使整张晶圆直接与盖板进行粘接，大大简化了粘接过程，提高了PLC芯片的加工效率。
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公开(公告)号：CN104157546A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310173911.X
申请日：2013-05-13
Applicant: 上海鸿辉光通科技股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种掩膜板的清洗方法，包括以下步骤：将掩膜板浸泡在丙酮中，同时用滚筒刷对掩膜板的表面从各个方向进行滚动刷洗；再将掩膜板浸泡在去离子水中进行超声清洗；重复以下步骤5次：将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中进行清洗后，再将掩膜板放入流动的去离子水中进行冲洗；最后将掩膜板用气体吹干。本发明方法采用丙酮并配以聚乙烯醇材质的滚筒刷来代替SPM溶液，清洗效果与现有SPM溶液清洗方法相当，但是由于丙酮不会与Cr发生化学反应，它只是将光刻胶等杂质去除而不会将掩膜板上的图形破坏，因此减少了因清洗而对掩膜板造成的损伤，从而提高掩膜板的寿命，降低企业的生产成本。
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公开(公告)号：CN104155731A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310175051.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 上海鸿辉光通科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种PLC芯片的粘接方法，包括以下步骤：将晶圆和盖板放置于晶圆粘接机的真空夹具上，确保其表面没有灰尘或无尘布碎屑；在晶圆上表面的中心点滴加胶水，待胶水自然扩散；将晶圆和盖板相互粘接，使胶水流向晶圆的边缘，并控制晶圆和盖板之间的胶水层厚度在30-50μm；通过UV灯照射进行初步固化；再放入烤箱内烘烤，进一步固化。本发明方法使整张晶圆直接与盖板进行粘接，大大简化了粘接过程，提高了PLC芯片的加工效率。
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公开(公告)号：CN104154418A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310175043.9
申请日：2013-05-13
Applicant: 上海鸿辉光通科技股份有限公司
IPC: F17C13/04
Abstract: 本发明公开了一种高纯度三氯氧磷供料钢瓶，包括钢瓶本体，分别设于钢瓶本体顶部、带有三向氮气进气阀的氮气进气管和带有三向三氯氧磷供料阀的三氯氧磷供料管，两端分别连通所述氮气进气管和三氯氧磷供料管顶部且带有第一阀门的横向管道，以及两端分别连通氮气进气阀和三氯氧磷供料阀且带有第二阀门的连通管道，三氯氧磷供料管的底端插入钢瓶本体的底部，横向管道位于氮气进气阀和三氯氧磷供料阀的上方。本发明通过在氮气进气阀和三氯氧磷供料阀之间增设一带阀门的管道，使得靠近氮气进气阀、三氯氧磷供料阀的管路由原先的不能冲刷变成可以冲刷干净，避免了三氯氧磷的残留，使得管道保持畅通，保证了设备的运行安全。
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公开(公告)号：CN104150622A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310173899.2
申请日：2013-05-13
Applicant: 上海鸿辉光通科技股份有限公司
IPC: C02F9/02
Abstract: 本发明公开了一种用于冷却循环水系统的过滤结构，所述冷却循环水系统上连接有自来水进水管道，所述自来水进水管道上设有第一阀门和第二阀门，位于所述第一阀门和第二阀门两侧的自来水进水管道通过带有第三阀门的旁路管道连通，位于所述第一阀门和第二阀门之间的自来水进水管道上依次设有第一滤芯和第二滤芯。本发明在冷却循环水系统的进水管路上增设了两个滤芯，起到双层过滤作用，使自来水杂质充分在两个滤芯里过滤，杂质能沉淀在滤芯中，使得流向下端的水质有明显的提高，保证了下端处机台以及车间的稳定运行。
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