公开(公告)号：CN104561918B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410829452.0

申请日：2014-12-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 黄冠麟 ,  崔书山 ,  林木 ,  黎雨 ,  万见峰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C22C22/00

Abstract: 本发明提供一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法。本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.将MnFeCu三元合金作为靶材安装在磁控溅射设备的靶位上；b.将衬底置于真空室样品台上，抽真空至真空度为1.0×10-4Pa-5.0×10-4Pa，使衬底的温度为室温～700K，在溅射功率为60W～140W，靶材与衬底的间距为40mm-80mm的条件下溅射沉积MnFeCu薄膜，溅射完成后，在高真空下冷却至室温，即可制得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜。与现有技术相比，本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法简单，原材料成本低，使得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的生产成本低。

公开(公告)号：CN104561918A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410829452.0

申请日：2014-12-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 黄冠麟 ,  崔书山 ,  林木 ,  黎雨 ,  万见峰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C22C22/00

CPC classification number: C23C14/35 ,  C22C22/00 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明提供一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法。本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.将MnFeCu三元合金作为靶材安装在磁控溅射设备的靶位上；b.将衬底置于真空室样品台上，抽真空至真空度为1.0×10-4Pa-5.0×10-4Pa，使衬底的温度为室温～700K，在溅射功率为60W～140W，靶材与衬底的间距为40mm-80mm的条件下溅射沉积MnFeCu薄膜，溅射完成后，在高真空下冷却至室温，即可制得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜。与现有技术相比，本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法简单，原材料成本低，使得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的生产成本低。