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公开(公告)号：CN118210105A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410511659.7
申请日：2024-04-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，包括：二氧化硅埋氧层位于其上的180°多模弯曲铌酸锂脊波导，其中：铌酸锂脊波导的宽度为2.6μm深度为0.3μm，本发明基于n参数可调复合曲线设计其波导形状，在输入TE0模的情况下，在1500nm～1600nm的带宽内，对各高阶模式的串扰均小于‑18.78dB，其中在1520nm～1580nm的带宽范围内模间串扰低至‑23dB，180°弯曲波导的总损耗小于0.05dB，弯曲波导面积不超过100μm×50μm，满足薄膜铌酸锂多模弯曲波导的紧凑和低串扰特性，有助于推动片上薄膜铌酸锂器件的高集成度实现。
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