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公开(公告)号:CN101481086A
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200910045964.7
申请日:2009-01-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米技术领域的无损伤原位构建纳米结点的方法,步骤为:对单壁碳纳米管进行纯化;用旋涂的方法将单壁碳纳米管沉积到硅基底上,加热后除去有机表面活性剂;采用原子力显微镜探针,蘸取金属前躯体后,在轻敲模式对分散在基底上的纳米管的成像,选择焊接区域并记录图像,缩小扫描范围,将中心定在需要焊接处,打开负抬高模式,使探针同时在两种模式下运作,选择负抬高模式操作时间控制纳米结点的尺寸,操纵完毕后关闭抬高模式,扩大扫描范围,在轻敲模式下对所焊的纳米结合点进行成像并记录,扫描和操纵均是同一根探针。本发明具有纳米结点尺寸可控,定位准确、无损伤和无污染等特点。
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公开(公告)号:CN101481086B
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN200910045964.7
申请日:2009-01-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米技术领域的无损伤原位构建纳米结点的方法,步骤为:对单壁碳纳米管进行纯化;用旋涂的方法将单壁碳纳米管沉积到硅基底上,加热后除去有机表面活性剂;采用原子力显微镜探针,蘸取金属前躯体后,在轻敲模式对分散在基底上的纳米管的成像,选择焊接区域并记录图像,缩小扫描范围,将中心定在需要焊接处,打开负抬高模式,使探针同时在两种模式下运作,选择负抬高模式操作时间控制纳米结点的尺寸,操纵完毕后关闭抬高模式,扩大扫描范围,在轻敲模式下对所焊的纳米结合点进行成像并记录,扫描和操纵均是同一根探针。本发明具有纳米结点尺寸可控,定位准确、无损伤和无污染等特点。
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