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公开(公告)号：CN106449979B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610786144.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法；所述方法包括如下步骤：将摩尔比为摩尔比为1:1:0.0125～0.05的HPbI3、CsI以及EDAI2溶于DMF溶液，得前驱体溶液A；将所述前驱体溶液A旋涂到太阳能电池基片上，随后低温退火得到表面平整的钙钛矿薄膜。这种类型的电池不仅具有较高的光电转换效率，而且具有极佳的热稳定性。
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公开(公告)号：CN106449979A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610786144.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4226 , C01G21/006 , H01L51/0003 , H01L51/0026 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法；所述方法包括如下步骤：将摩尔比为摩尔比为1:1:0.0125～0.05的HPbI3、CsI以及EDAI2溶于DMF溶液，得前驱体溶液A；将所述前驱体溶液A旋涂到太阳能电池基片上，随后低温退火得到表面平整的钙钛矿薄膜。这种类型的电池不仅具有较高的光电转换效率，而且具有极佳的热稳定性。
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公开(公告)号：CN106283104B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610637815.X
申请日：2016-08-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25B11/06 , C25B1/04 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。本发明的合成方法操作简单，所得到的电极仍然保留纳米硅基底的多孔特征和纳米氧化铱催化剂的高效催化性能，并且二氧化钛层的厚度条件可控，其存在使得电极具有较长的使用寿命。而且采用二氧化钛取代传统阳极中的二氧化铱与低温条件制备的特征大幅度降低了电极制备的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106283104A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610637815.X
申请日：2016-08-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25B11/06 , C25B1/04 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: Y02E60/366 , C25B11/0426 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C25B1/04 , C25B11/0452
Abstract: 本发明公开了一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。本发明的合成方法操作简单，所得到的电极仍然保留纳米硅基底的多孔特征和纳米氧化铱催化剂的高效催化性能，并且二氧化钛层的厚度条件可控，其存在使得电极具有较长的使用寿命。而且采用二氧化钛取代传统阳极中的二氧化铱与低温条件制备的特征大幅度降低了电极制备的成本。
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公开(公告)号：CN106098947A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610605842.9
申请日：2016-07-28
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0077 , H01L51/0003
Abstract: 本发明提供了一种低温制备混合晶型钙钛矿材料的方法，所述方法包括以下步骤：在配制的前驱体溶液中通入盐酸气体，得溶液A；将溶液A旋涂到钙钛矿薄膜上，旋涂后低温退火，即得混合晶型钙钛矿材料。该方法避免了因温度过高导致的退火过程中钙钛矿材料的分解，同时降低了能耗，对实际应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN105481697A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510844198.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , C07C211/05
CPC classification number: C07C209/00 , C07B2200/13 , C07C211/04 , C07C211/05
Abstract: 本发明提供了一种气液或者气固两相原位反应制备有机无机杂化钙钛矿材料，通过气体与液体一步旋涂或者气体与固体原位反应连续沉积法制备得到所述有机无机杂化钙钛矿材料。所述方法具体包括如下步骤：将氢卤酸HX、卤化铅PbX2按照一定的比例混合后在有机胺气氛下涂布到基底上，然后退火得到钙钛矿薄膜；或者将氢卤酸HX、卤化铅PbX2按照一定的比例混合后涂布到基底上干燥后得到前驱体薄膜，再经过有机胺蒸汽处理通过气固原位反应即可制得高质量钙钛矿旋薄膜。本发明采用气液、气固原位反应方法能够制备得到结晶性好，表面致密平整的钙钛矿膜。该制备方法能够在常温下进行，无需制备卤化甲胺前驱体，具有操作便利，成本较低，成膜性好，便于工厂规模化生产。
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公开(公告)号：CN105481697B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510844198.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , C07C211/05
Abstract: 本发明提供了一种气液或者气固两相原位反应制备有机无机杂化钙钛矿材料，通过气体与液体一步旋涂或者气体与固体原位反应连续沉积法制备得到所述有机无机杂化钙钛矿材料。所述方法具体包括如下步骤：将氢卤酸HX、卤化铅PbX2按照一定的比例混合后在有机胺气氛下涂布到基底上，然后退火得到钙钛矿薄膜；或者将氢卤酸HX、卤化铅PbX2按照一定的比例混合后涂布到基底上干燥后得到前驱体薄膜，再经过有机胺蒸汽处理通过气固原位反应即可制得高质量钙钛矿旋薄膜。本发明采用气液、气固原位反应方法能够制备得到结晶性好，表面致密平整的钙钛矿膜。该制备方法能够在常温下进行，无需制备卤化甲胺前驱体，具有操作便利，成本较低，成膜性好，便于工厂规模化生产。
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公开(公告)号：CN105505375A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510844200.X
申请日：2015-11-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: C09K11/06
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/10
Abstract: 本发明提供了一种高荧光效率有机无机杂化钙钛矿材料及制备方法，所述高荧光效率有机无机杂化钙钛矿材料的结构为钙钛矿晶型，分子式为Ay·CH3NH3PbX3，其中A为氨基酸，0.1
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