公开(公告)号：CN105154950B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510507561.5

申请日：2015-08-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王开学 ,  许树茂 ,  吴雪艳 ,  魏霄 ,  陈接胜

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明涉及一种层状金属复合氢氧化物的制备方法，可以在导电基体上有序生长高结晶度的层状复合氢氧化物，所得的层状氢氧化物以阵列的形式紧密生长在导电基体上，该方法可用于合成有序微米级别高结晶度的层状复合氢氧化物和其焙烧或插层的衍生物，同时，合成的高结晶度超薄片的层状金属复合氢氧化物对氧还原(ORR)，氧析出(OER)等过程具有优异的催化性能，其阵列的孔隙有利于离子的扩散或电解液的渗透。与现有技术相比，本发明具有对仪器设备要求简单，工艺简易，安全性及操作性强等优点。

公开(公告)号：CN105154950A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510507561.5

申请日：2015-08-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王开学 ,  许树茂 ,  吴雪艳 ,  魏霄 ,  陈接胜

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明涉及一种层状金属复合氢氧化物的制备方法，可以在导电基体上有序生长高结晶度的层状复合氢氧化物，所得的层状氢氧化物以阵列的形式紧密生长在导电基体上，该方法可用于合成有序微米级别高结晶度的层状复合氢氧化物和其焙烧或插层的衍生物，同时，合成的高结晶度超薄片的层状金属复合氢氧化物对氧还原(ORR)，氧析出(OER)等过程具有优异的催化性能，其阵列的孔隙有利于离子的扩散或电解液的渗透。与现有技术相比，本发明具有对仪器设备要求简单，工艺简易，安全性及操作性强等优点。