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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119622421A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411835582.5
申请日：2024-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F18/24 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/25 , G06N3/045 , G06N3/08 , G06F18/213
Abstract: 本发明公开了一种基于多模态情感分析模型的多模态情感分析方法，包括以下步骤：获取真实场景数据集，提取所述真实场景数据集中的有效内容，获得包含文本、视频和音频三种模态内容的多模态数据集；提取所述多模态数据集的数据特征，获得多模态特征向量；根据所述多模态特征向量构建多模态情感分析模型；将待测的真实场景数据集输入到所述多模态情感分析模型中，获得情感分析结果。本发明通过构造的多模态情感分析模型，大幅度减少了跨模态无关和冲突信息的干扰和注意力机制所带来的混淆效应，大幅度提升了对多模态数据情感识别的准确性，为部署在相关服务上奠定了良好基础。
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公开(公告)号：CN101540285A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910049406.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/3065 , C25D15/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米电子器件的碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，步骤为：在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出源漏电极图案，将碳纳米管通过交变电场双向电泳的方法沉积在源漏电极之间形成碳纳米管薄膜，然后用等离子体刻蚀的方法选择性去除沉积的碳纳米管中的金属性碳纳米管，得到具有良好性能的碳纳米管薄膜场效应晶体管；另一种为：将碳纳米管通过自组装的方法沉积在表面含有绝缘层的硅片上形成碳纳米管薄膜，然后采用光刻技术在碳纳米管薄膜上制作出源漏电极图案，接着用等离子体刻蚀的方法选择性去除沉积的碳纳米管中的金属性碳纳米管，得到具有良好性能的碳纳米管薄膜场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN101659394B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910195772.4
申请日：2009-09-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光电材料领域的铜锌锡硫纳米粒子的制备方法，包括如下步骤：步骤一，取二价锌盐，二价锡盐，一价或二价铜盐，硫粉；步骤二，将步骤一所取物质混合，加入油胺，加热，纯化产物，得铜锌锡硫纳米粒子。本发明的方法绿色无污染，反应条件温和简单、成本低廉，适于大规模生产。
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公开(公告)号：CN101540285B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910049406.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/3065 , C25D15/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米电子器件的碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，步骤为：在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出源漏电极图案，将碳纳米管通过交变电场双向电泳的方法沉积在源漏电极之间形成碳纳米管薄膜，然后用等离子体刻蚀的方法选择性去除沉积的碳纳米管中的金属性碳纳米管，得到具有良好性能的碳纳米管薄膜场效应晶体管；另一种为：将碳纳米管通过自组装的方法沉积在表面含有绝缘层的硅片上形成碳纳米管薄膜，然后采用光刻技术在碳纳米管薄膜上制作出源漏电极图案，接着用等离子体刻蚀的方法选择性去除沉积的碳纳米管中的金属性碳纳米管，得到具有良好性能的碳纳米管薄膜场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN101659394A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910195772.4
申请日：2009-09-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光电材料领域的铜锌锡硫纳米粒子的制备方法，包括如下步骤：步骤一，取二价锌盐，二价锡盐，一价或二价铜盐，硫粉；步骤二，将步骤一所取物质混合，加入油胺，加热，纯化产物，得铜锌锡硫纳米粒子。本发明的方法绿色无污染，反应条件温和简单、成本低廉，适于大规模生产。
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