第二代高温超导带材及其制备方法

    公开(公告)号:CN113223773B

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202110491577.7

    申请日:2021-05-06

    Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材及其制备方法,该第二代高温超导带材包括超导带材本体,以及设置于所述超导带材本体至少一侧的保护层,所述保护层为铜‑石墨烯复合膜,所述保护层单面总厚度为2~30微米。制备方法包括以下步骤:(1)将超导带材本体放入磁控溅射反应腔内,抽至高真空,再充入工作气体;(2)通过控制磁控溅射功率,以铜、石墨烯作为靶材,开始溅射镀膜,将靶材材料沉积在超导带材本体表面,即得到表面生长有铜‑石墨烯结构的第二代高温超导带材。制备的包含铜‑石墨烯高强高导保护层的超导带材,抗拉强度比传统电镀铜的超导带材抗拉强度提高了30%‑70%,导电率衰减小于10%IACS,且临界电流无衰减。

    一种多源离子喷射源非原位沉积生产高温超导带材的方法

    公开(公告)号:CN111785443B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202010682239.7

    申请日:2020-07-15

    Abstract: 本发明公开了一种多源离子喷射源非原位沉积生产高温超导带材的方法,属于超导带材的制备工艺技术领域,包括以下步骤:利用多源离子喷射轰击靶材,在有双轴织构的缓冲层带材经过靶材附近,使得在缓冲层上沉积金属氧化物的混合物形成前驱膜。前驱膜首先经过低氧分压环境,然后经过较高氧分压环境中,形成具有四方相的超导膜。四方相的超导膜经过吸氧后,完成四方相向正交超导相转变,形成具有一定载流性能的超导带材。本发明中,超导薄膜是通过多源离子枪喷射沉积的技术方案实现。通过差分氧分压技术,实现快速生成超导相和热处理等工艺。该技术具有镀膜效率高,薄膜生长速率快,能够精确控制膜成分和均匀度,成本低等优点,适用于工业大规模生产。

    一种多源离子喷射源非原位沉积生产高温超导带材的方法

    公开(公告)号:CN111785443A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010682239.7

    申请日:2020-07-15

    Abstract: 本发明公开了一种多源离子喷射源非原位沉积生产高温超导带材的方法,属于超导带材的制备工艺技术领域,包括以下步骤:利用多源离子喷射轰击靶材,在有双轴织构的缓冲层带材经过靶材附近,使得在缓冲层上沉积金属氧化物的混合物形成前驱膜。前驱膜首先经过低氧分压环境,然后经过较高氧分压环境中,形成具有四方相的超导膜。四方相的超导膜经过吸氧后,完成四方相向正交超导相转变,形成具有一定载流性能的超导带材。本发明中,超导薄膜是通过多源离子枪喷射沉积的技术方案实现。通过差分氧分压技术,实现快速生成超导相和热处理等工艺。该技术具有镀膜效率高,薄膜生长速率快,能够精确控制膜成分和均匀度,成本低等优点,适用于工业大规模生产。

    第二代高温超导带材及其制备方法

    公开(公告)号:CN113223773A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110491577.7

    申请日:2021-05-06

    Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材及其制备方法,该第二代高温超导带材包括超导带材本体,以及设置于所述超导带材本体至少一侧的保护层,所述保护层为铜‑石墨烯复合膜,所述保护层单面总厚度为2~30微米。制备方法包括以下步骤:(1)将超导带材本体放入磁控溅射反应腔内,抽至高真空,再充入工作气体;(2)通过控制磁控溅射功率,以铜、石墨烯作为靶材,开始溅射镀膜,将靶材材料沉积在超导带材本体表面,即得到表面生长有铜‑石墨烯结构的第二代高温超导带材。制备的包含铜‑石墨烯高强高导保护层的超导带材,抗拉强度比传统电镀铜的超导带材抗拉强度提高了30%‑70%,导电率衰减小于10%IACS,且临界电流无衰减。

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