公开(公告)号：CN1441504A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03116165.0

申请日：2003-04-03

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周之斌 ,  崔容强 ,  程平芳 ,  于化丛 ,  孟凡英 ,  蔡燕晖 ,  赵春江 ,  徐秀琴 ,  陈东

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结制作；电感偶合等离子刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明简化了太阳电池工艺、将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。采用此工艺，可获得商业化大面积(103×103mm2)单晶硅太阳电池的效率达15.7％，此工艺也适用于多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率可达14.0％以上，(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。

公开(公告)号：CN1206743C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03116165.0

申请日：2003-04-03

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周之斌 ,  崔容强 ,  程平芳 ,  于化丛 ,  孟凡英 ,  蔡燕晖 ,  赵春江 ,  徐秀琴 ,  陈东

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种晶体硅太阳电池制备工艺，属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作PN结；用电感耦合等离子刻蚀硅片周边；在电池的正面淀积氮化硅薄膜；采用丝网印刷工艺在太阳电池的正、背面制作电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。面积为103×103mm2的单晶硅太阳电池效率达15.7%，此工艺也适用多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率达14.0%以上(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。