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公开(公告)号:CN116210592B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202310365670.2
申请日:2023-04-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: A01H4/00
Abstract: 本发明公开了一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法,该方法以0.1%的HgCl2溶液进行灭菌处理,采用WPM+6‑BA0.2mg/L+IBA0.02mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L作为初代培养基,采用WPM+6‑BA0.3mg/L+IBA0.03mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L增殖培养基,采用WPM+0.05mg/L IAA+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L生根培养基,最后以机质和蛭石为介质增强根系,大大提高了移栽存活率。
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公开(公告)号:CN116210592A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310365670.2
申请日:2023-04-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: A01H4/00
Abstract: 本发明公开了一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法,该方法以0.1%的HgCl2溶液进行灭菌处理,采用WPM+6‑BA0.2mg/L+IBA0.02mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L作为初代培养基,采用WPM+6‑BA0.3mg/L+IBA0.03mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L增殖培养基,采用WPM+0.05mg/L IAA+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L生根培养基,最后以机质和蛭石为介质增强根系,大大提高了移栽存活率。
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