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公开(公告)号：CN105420811A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510992043.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: C30B29/225 , C30B11/14
Abstract: 本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法，包括如下工序：a)制备RE123相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长准单晶；其中，所述片状REBCO晶体是通过沿a-b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a-b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料，基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导准单晶，以满足科研和实际工业化生产的需求。
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公开(公告)号：CN105401217A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510991793.2
申请日：2015-12-25
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E40/64 , C30B29/225 , C30B13/34 , H01B12/00
Abstract: 本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法，包括如下工序：a)制备RE123相、RE211相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(15～30)mol％RE211+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长块材；其中，所述片状REBCO晶体是通过沿a-b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a-b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料，基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导块材，以满足科研和实际工业化生产的需求。
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公开(公告)号：CN105133014A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510594635.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明提供一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba2Cu3O5粉末；b)按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导准单晶体；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba：Cu＝2：3制备的Ba2Cu3O5粉末，而避免制备RE123粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE:Ba：Cu＝1：2：3的比例，从而获得REBCO高温超导准单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100535872C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810035552.0
申请日：2008-04-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种片上系统技术领域的基于地址映射的NOR FLASH均衡方法，首先，将控制器内部的用于程序代码存储的NOR FLASH分为两部分，第一部分存储程序代码，第二部分保存NOR FLASH的状态；然后，在每次从外部向NOR FLASH中加载程序代码时，控制器根据均衡方法确定程序代码写入NOR FLASH中的地址范围，并按照自身的写入方式将代码写入其中，同时以查询方式更新状态信息；最后，在片上系统运行过程中，控制器每次检测到外部读取代码的操作时，并根据状态信息，利用地址映射的方法从内部的NOR FLASH中读取正确的数据并输出。本发明减少了嵌入式系统中NOR FLASH空间的浪费，延长了的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105177712A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510593269.X
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种生长REBCO高温超导块材的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba2Cu3O5粉末；b)按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导块材；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba：Cu＝2：3制备的Ba2Cu3O5粉末，而避免制备RE123、RE211粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE123和RE211的摩尔比约等于1：(0.1～0.4)，从而获得REBCO高温超导块材。
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公开(公告)号：CN105401217B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510991793.2
申请日：2015-12-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法，包括如下工序：a)制备RE123相、RE211相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(15～30)mol％RE211+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长块材；其中，所述片状REBCO晶体是通过沿a‑b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a‑b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料，基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导块材，以满足科研和实际工业化生产的需求。
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公开(公告)号：CN105177712B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510593269.X
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种生长REBCO高温超导块材的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba2Cu3O5粉末；b)按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导块材；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba：Cu＝2：3制备的Ba2Cu3O5粉末，而避免制备RE123、RE211粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE123和RE211的摩尔比约等于1：(0.1～0.4)，从而获得REBCO高温超导块材。
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公开(公告)号：CN101261606A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810035552.0
申请日：2008-04-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种片上系统技术领域的基于地址映射的NOR FLASH均衡方法，首先，将控制器内部的用于程序代码存储的NOR FLASH分为两部分，第一部分存储程序代码，第二部分保存NOR FLASH的状态；然后，在每次从外部向NOR FLASH中加载程序代码时，控制器根据均衡方法确定程序代码写入NOR FLASH中的地址范围，并按照自身的写入方式将代码写入其中，同时以查询方式更新状态信息；最后，在片上系统运行过程中，控制器每次检测到外部读取代码的操作时，并根据状态信息，利用地址映射的方法从内部的NOR FLASH中读取正确的数据并输出。本发明减少了嵌入式系统中NOR FLASH空间的浪费，延长了使用寿命。
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