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公开(公告)号：CN116682807A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310658225.5
申请日：2023-06-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/552 , G01K1/00 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种电磁屏蔽封装结构及其制备方法和低温温度传感器，包括：基底；中间腔体，设于基底上，中间腔体包括下材料层和上材料层，下材料层的中部设有用于容置温度传感器芯片的镂空部；上材料层盖合于镂空部上方；电极，形成于下材料层的上表面且位于镂空部两侧，上材料层覆盖部分电极；引线，连接温度传感器芯片与电极；第一电磁屏蔽层，设于封装结构的内壁或外壁，用于屏蔽高频磁场；第二电磁屏蔽层，设于封装结构的内壁或外壁，用于屏蔽低频磁场；第一电磁屏蔽层和第二电磁屏蔽层均采用耐低温电磁屏蔽材料形成。本发明能够为低温温度传感器全方位有效屏蔽高频和低频电磁干扰和静磁场，显著提升其在电磁场辐射环境下的测温精度。
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