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公开(公告)号：CN101973509A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010510589.1
申请日：2010-10-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于MEMS工艺的硅微针表面涂覆加工方法，采用化学气相淀积方法在硅片的抛光面生长底层SiO2用于电隔离金属合金层与硅衬底；在底层SiO2上依次溅射钛元素和金元素以形成金属合金层，在金属合金层上分别刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；在金属合金层上生长顶层SiO2用于绝缘金属合金层，用HF酸溶液刻蚀顶层SiO2以暴露出金属合金层上的压焊点和接触圆点；在硅衬底正面涂覆聚合物并光刻刻蚀暴露出金属合金层上的压焊点和电极接触点；采用感应耦合等离子干法刻蚀的方法刻蚀去除底层SiO2及基片。本发明微针具有生物相容性和防水性，将其涂覆在硅材料表面可以增强硅微针在体内工作的可靠性，实现在体长期植入。
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