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公开(公告)号：CN102981131A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210465532.3
申请日：2012-11-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器，包括：衬底、主激励线圈、辅助激励线圈、检测线圈、磁芯、电极、聚酰亚胺薄膜，其中，在磁芯平行的两条长轴两端对称绕制四组主激励线圈，在长轴中部对称绕制三组检测线圈和两组辅助激励线圈；在同一长轴上每两组检测线圈中间分布一组所述辅助激励线圈，所述主激励线圈、辅激励线圈和检测线圈均位于衬底表面，所述主激励线圈的两端连接电极。本发明解决了传统磁通门传感器制造稳定性、重复性差的问题，采用主辅线圈双重激励提高了微型磁通门传感器激励效率，有效降低了输出信号噪声和能耗，可以和接口电路集成制造，在许多新的领域具有广泛的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114785412B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210352392.2
申请日：2022-04-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于单光子超弱信号时间维度关联的时频同步系统及方法，包括：分别设置于通信双方的两对发射模块和接收模块，其中：发射模块用于发射时间信号和频率信号，位于空海自由空间链路另一侧的接收模块将以本地时间为基准探测到的时频信号进行同步校准，再解调出所编码的时间信息，并计算其与以本地时钟为基准所记录的信号到达时间的差值，以实现绝对时间校准。本发明采用光子幅度和时间维的信息作为时频传输的载体，利用接收到的单光子超弱信号时间维度的特征进行信息解码从而实现时频同步，具有可对抗超大信道损耗以及负信噪比环境的特性，且具备抗信号丢失的能力，能够有效实现空海跨域的大深度、高精度时频传输。
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公开(公告)号：CN115001587A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210632342.X
申请日：2022-06-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/556
Abstract: 一种单光子傅立叶变换信号分析方法，通过接收来自多个具有独立参考时钟的发射端发射的光信号，经分块处理、延时提取和漂移校正后实现接收信号的分离；再分别计算来自不同发射端的不同比特位的有效光子数，利用光子统计分布的演化特性得出相应的光子数阈值，从而恢复各个发射端所传输的比特序列，即实现多路超弱信号的提取。本发明基于每个发射端和接收端都有其独立的参考时钟且任意两时钟间总是不可避免地受到扰动而发生振荡漂移的性质，利用稀疏单光子流的到达时间数据获得延时关联信息，结合傅里叶变换对关联单光子的频域特征进行分析，从而检索出各路信号的时钟漂移特性，以实现超弱混合信号的高保真分离与提取。
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公开(公告)号：CN115001587B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210632342.X
申请日：2022-06-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/556
Abstract: 一种单光子傅立叶变换信号分析方法，通过接收来自多个具有独立参考时钟的发射端发射的光信号，经分块处理、延时提取和漂移校正后实现接收信号的分离；再分别计算来自不同发射端的不同比特位的有效光子数，利用光子统计分布的演化特性得出相应的光子数阈值，从而恢复各个发射端所传输的比特序列，即实现多路超弱信号的提取。本发明基于每个发射端和接收端都有其独立的参考时钟且任意两时钟间总是不可避免地受到扰动而发生振荡漂移的性质，利用稀疏单光子流的到达时间数据获得延时关联信息，结合傅里叶变换对关联单光子的频域特征进行分析，从而检索出各路信号的时钟漂移特性，以实现超弱混合信号的高保真分离与提取。
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公开(公告)号：CN114785412A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210352392.2
申请日：2022-04-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于单光子超弱信号时间维度关联的时频同步系统及方法，包括：分别设置于通信双方的两对发射模块和接收模块，其中：发射模块用于发射时间信号和频率信号，位于空海自由空间链路另一侧的接收模块将以本地时间为基准探测到的时频信号进行同步校准，再解调出所编码的时间信息，并计算其与以本地时钟为基准所记录的信号到达时间的差值，以实现绝对时间校准。本发明采用光子幅度和时间维的信息作为时频传输的载体，利用接收到的单光子超弱信号时间维度的特征进行信息解码从而实现时频同步，具有可对抗超大信道损耗以及负信噪比环境的特性，且具备抗信号丢失的能力，能够有效实现空海跨域的大深度、高精度时频传输。
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公开(公告)号：CN102981131B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210465532.3
申请日：2012-11-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器，包括：衬底、主激励线圈、辅助激励线圈、检测线圈、磁芯、电极、聚酰亚胺薄膜，其中，在磁芯平行的两条长轴两端对称绕制四组主激励线圈，在长轴中部对称绕制三组检测线圈和两组辅助激励线圈；在同一长轴上每两组检测线圈中间分布一组所述辅助激励线圈，所述主激励线圈、辅激励线圈和检测线圈均位于衬底表面，所述主激励线圈的两端连接电极。本发明解决了传统磁通门传感器制造稳定性、重复性差的问题，采用主辅线圈双重激励提高了微型磁通门传感器激励效率，有效降低了输出信号噪声和能耗，可以和接口电路集成制造，在许多新的领域具有广泛的应用。
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