一种用于黑色矩阵的聚合物、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116836384A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310381471.0

    申请日:2023-04-11

    Abstract: 本发明公开一种用于黑色矩阵的聚合物,所述聚合物通过将二酐单体和酯化试剂反应得到中间体,然后将中间体、二胺单体和1,8二羟基‑2,4,5,7四氨基‑9,10‑蒽醌反应制备得到。本发明所述聚合物,具有独特的结构特点,具备较高的OD值、较好的力学热学性能和光刻性能,将其应用于黑色矩阵时,能够更好满足目前业界对于黑色矩阵性能的要求。同时,本发明还公开了一种所述聚合物的制备方法和应用,所述制备方法工艺简单、便于工业化推广和应用。所述聚合物的应用,不仅为黑色矩阵提供了新的聚合物选择,而且能够显著提高黑色矩阵的力学和热学性能。

    光敏聚合物及其制备方法、用途、正性光刻胶

    公开(公告)号:CN118852619A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410768518.3

    申请日:2024-06-14

    Inventor: 路庆华 李珍

    Abstract: 本申请公开一种光敏聚合物及其制备方法、用途、正性光刻胶,所述光敏聚合物的结构式包括如下式I所示的第一结构单元:#imgabs0#在所述式I中,m为1~1000的整数;Ar1的结构式为#imgabs1#R1~R5独立地选自氢、甲基、二甲基;Ar3为去除二酐单体的结构式中的两个酸酐基团后剩余的基团;R为去除醇类物质的结构式中的醇羟基的氢原子后剩余的基团。本申请所述的光敏聚合物能够低温固化,同时还兼具良好的光刻性能、力学性能、介电性能、热学性能以及耐化学药品性能。

    聚合物及其制备方法、用途及本征型低温固化负性光刻胶

    公开(公告)号:CN117534834A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311488790.8

    申请日:2023-11-09

    Inventor: 路庆华 李珍

    Abstract: 本申请公开一种聚合物及其制备方法、用途及本征型低温固化负性光刻胶,所述聚合物通过使二酐单体和酯化试剂反应得到第一中间体,所述第一中间体经酰氯化后得到第二中间体,再使所述第二中间体与第一二胺单体、第二二胺单体反应制备获得。本申请所述的聚合物能够有效地降低聚酰亚胺的固化温度,同时,其力学性能、介电性能和热性能等性能也得以提升。

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