公开(公告)号：CN102607938B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210050952.5

申请日：2012-02-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  王慧颖 ,  丁桂甫 ,  顾挺 ,  李君翊 ,  程萍

IPC: G01N3/02

Abstract: 本发明公开了一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样，所述试样包括试样部分和用于夹持试样的夹持部分，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的夹持部分包括上夹持端和下夹持端，上、下夹持端均为方形平板结构，所述试样部分夹持在所述上夹持端和下夹持端之间。本发明与国内外现有的微拉伸试样相比，试样受力方向与圆形金属柱的生长方向一致，且主体尺寸是微米级，实现了原位TSV铜柱的力学性能测试，能有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。

公开(公告)号：CN102768148A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210247658.3

申请日：2012-07-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  顾挺 ,  程萍 ,  李君翊 ,  王慧颖 ,  丁桂甫

IPC: G01N3/02

Abstract: 本发明公开了一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位压缩试样，所述试样包括试样部分和用于固定试样的固定端，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的固定端部分为圆形或方形平板结构，所述试样部分在所述固定端的上端部分。本发明与国内外现有的微拉伸试样相比，试样受力方向与圆形金属柱的生长方向一致，且主体尺寸是微米级，实现了原位TSV铜柱的力学性能测试，能有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。

公开(公告)号：CN102768148B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210247658.3

申请日：2012-07-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  顾挺 ,  程萍 ,  李君翊 ,  王慧颖 ,  丁桂甫

IPC: G01N3/02

Abstract: 本发明公开了一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位压缩试样，所述试样包括试样部分和用于固定试样的固定端，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的固定端部分为圆形或方形平板结构，所述试样部分在所述固定端的上端部分。本发明与国内外现有的微拉伸试样相比，试样受力方向与圆形金属柱的生长方向一致，且主体尺寸是微米级，实现了原位TSV铜柱的力学性能测试，能有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。

公开(公告)号：CN102607938A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210050952.5

申请日：2012-02-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  王慧颖 ,  丁桂甫 ,  顾挺 ,  李君翊 ,  程萍

IPC: G01N3/02

Abstract: 本发明公开了一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样，所述试样包括试样部分和用于夹持试样的夹持部分，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的夹持部分包括上夹持端和下夹持端，上、下夹持端均为方形平板结构，所述试样部分夹持在所述上夹持端和下夹持端之间。本发明与国内外现有的微拉伸试样相比，试样受力方向与圆形金属柱的生长方向一致，且主体尺寸是微米级，实现了原位TSV铜柱的力学性能测试，能有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。

公开(公告)号：CN102519762A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110386375.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  李君翊 ,  王慧颖 ,  王艳 ,  丁桂甫

IPC: G01N1/28

Abstract: 本发明公开一种薄膜测试技术领域的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，步骤：在玻璃基片上旋甩光刻胶作为牺牲层并前烘，在牺牲层上溅射金属Ti层并做表面活化处理用作种子层，在种子层上进行甩胶、曝光、显影，根据掩模版设计的微拉伸试样层形状，实现其光刻胶结构的图形化；在表面活化的Ti层上电镀Cu-TSV试样层；在Cu-TSV镀层上进行支撑框架层的电化学沉积；最后去除光刻胶图形化层、Ti溅射层、牺牲层，得到独立的带有网状支撑框架的悬空Cu-TSV微拉伸试样。本发明制备的微拉伸试样有效降低了薄膜应力，结构简单，易于制备，成本低，实现了Cu-TSV薄膜的原位独立拉伸，有利于微拉伸精准测试。

公开(公告)号：CN202330143U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120401687.1

申请日：2011-10-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  李君翊 ,  王慧颖 ,  王艳 ,  丁桂甫

IPC: G01N3/02

Abstract: 本实用新型公开一种带有网状支撑框架的低应力微拉伸试样，包括支撑框架层以及位于所述支撑框架层上的微拉伸试样层，其中：所述微拉伸试样层包括设有应力释放孔的椭圆型支撑平台，所述支撑框架层包括网状支撑框架、与网状支撑框架连接的“凸”型支撑平台，所述“凸”型支撑平台上设有定位孔及刻蚀释放孔。本实用新型结构简单，利于夹持，并有效减小了框架剪断过程中的剪切应力及对Cu-TSV薄膜的损伤，实现了Cu-TSV薄膜的悬空独立拉伸，降低了测试难度，提高了测试精度。