-
公开(公告)号:CN112285381A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202011207970.0
申请日:2020-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01P15/08 , G01P15/105 , G01P15/135 , H03K17/90
Abstract: 本发明提供了一种阈值可调的MEMS惯性开关,包括:感应上电极,被配置为在惯性的作用下向感应下电极的方向移动,与感应下电极接触时,形成脉冲感应信号;感应下电极,被配置为与壳体固定设置,与感应上电极接触时,形成脉冲感应信号;电磁吸合装置,被配置为通入电流后产生磁场,所述磁场对所述感应上电极产生朝向感应下电极的作用力,所述磁场的强度和方向随着通入电流变化而变化。
-
公开(公告)号:CN112217504A
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN202011207569.7
申请日:2020-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H03K17/975
Abstract: 本发明提供了一种自供能MEMS惯性开关,包括:感应上电极,被配置为在惯性的作用下向感应下电极的方向移动;感应下电极,被配置为与壳体固定设置;感应上电极与感应下电极电接触时,形成脉冲感应信号;电荷提供装置,被配置为向感应上电极和感应下电极提供感应电荷;电荷存储装置,被配置为收集感应上电极和感应下电极位置相对变化时,电荷变化生成的电流,并提供脉冲感应信号的能量。
-
公开(公告)号:CN112217504B
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202011207569.7
申请日:2020-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H03K17/975
Abstract: 本发明提供了一种自供能MEMS惯性开关,包括:感应上电极,被配置为在惯性的作用下向感应下电极的方向移动;感应下电极,被配置为与壳体固定设置;感应上电极与感应下电极电接触时,形成脉冲感应信号;电荷提供装置,被配置为向感应上电极和感应下电极提供感应电荷;电荷存储装置,被配置为收集感应上电极和感应下电极位置相对变化时,电荷变化生成的电流,并提供脉冲感应信号的能量。
-
-
公开(公告)号:CN112285381B
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN202011207970.0
申请日:2020-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01P15/08 , G01P15/105 , G01P15/135 , H03K17/90
Abstract: 本发明提供了一种阈值可调的MEMS惯性开关,包括:感应上电极,被配置为在惯性的作用下向感应下电极的方向移动,与感应下电极接触时,形成脉冲感应信号;感应下电极,被配置为与壳体固定设置,与感应上电极接触时,形成脉冲感应信号;电磁吸合装置,被配置为通入电流后产生磁场,所述磁场对所述感应上电极产生朝向感应下电极的作用力,所述磁场的强度和方向随着通入电流变化而变化。
-
-
公开(公告)号:CN113697757B
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202110991856.X
申请日:2021-08-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及柔性衬底技术领域,提出一种金属复合柔性衬底及其制备方法。该衬底包括:聚合物结构;以及金属微结构,其与所述聚合物结构交错间隔布置;其中,所述聚合物结构和所述金属微结构的厚度相同,并且通过所述聚合物结构和所述金属微结构的宽度、宽度比例以及布置方向确定所述金属复合柔性衬底的热膨胀系数各向异性。该衬底的制备方法中包含了对金属与聚合物之间的界面进行修饰与改性设计,可以实现金属微结构与聚合物结构之间良好、稳定、可靠的界面结合。通过该衬底表现出的热膨胀各向异性并且可调控性,使得柔性电阻式应变传感器可以摆脱因环境温度变化造成衬底的额外形变的影响,从而确保电阻式应变传感器在特定方向
-
公开(公告)号:CN113697757A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202110991856.X
申请日:2021-08-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及柔性衬底技术领域,提出一种金属复合柔性衬底及其制备方法。该衬底包括:聚合物结构;以及金属微结构,其与所述聚合物结构交错间隔布置;其中,所述聚合物结构和所述金属微结构的厚度相同,并且通过所述聚合物结构和所述金属微结构的宽度、宽度比例以及布置方向确定所述金属复合柔性衬底的热膨胀系数各向异性。该衬底的制备方法中包含了对金属与聚合物之间的界面进行修饰与改性设计,可以实现金属微结构与聚合物结构之间良好、稳定、可靠的界面结合。通过该衬底表现出的热膨胀各向异性并且可调控性,使得柔性电阻式应变传感器可以摆脱因环境温度变化造成衬底的额外形变的影响,从而确保电阻式应变传感器在特定方向上探测的精准度。
-
公开(公告)号:CN110980630A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911316288.2
申请日:2019-12-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种表面贴装用的TGV集成垂直互连结构,包括:玻璃基板,所述玻璃基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;以及金属填充通孔,所述金属填充通孔贯穿所述玻璃基板的第一表面和第二表面。本发明提出的TGV可用作集成全金属MEMS冲击阈值传感器及其后续表面贴装应用的理想基板,实现垂直维度上的电学互连。并且,基于本发明提出的TGV玻璃基板还可以明显提高整体MEMS器件的抗冲击性,稳定性及可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-