一种基于方华膜无损转移二维材料的方法

    公开(公告)号:CN112520715B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202011589612.0

    申请日:2020-12-29

    Inventor: 周琳 朱丽菁

    Abstract: 本发明公开了一种基于方华膜(聚乙烯醇缩甲醛)转移二维材料的方法。将不同基底上的二维材料,通过方华膜无损转移到目标基底或TEM支撑网上。本发明是利用方华膜与二维材料的结合力大于二维材料与基底的结合力,同时具有好的机械强度,从而有效实现方华膜辅助二维材料从基底无损、大面积地转移至目标基底上。本发明可实现二维材料的大面积无损转移,采用溶剂辅助方法,无需刻蚀基底,转移过程温和,尤其适用于二维敏感材料的无损转移。该方法具有普适性,可用于低维纳米材料的转移,及二维材料TEM样品制备。

    一种基于方华膜无损转移二维材料的方法

    公开(公告)号:CN112520715A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN202011589612.0

    申请日:2020-12-29

    Inventor: 周琳 朱丽菁

    Abstract: 本发明公开了一种基于方华膜(聚乙烯醇缩甲醛)转移二维材料的方法。将不同基底上的二维材料,通过方华膜无损转移到目标基底或TEM支撑网上。本发明是利用方华膜与二维材料的结合力大于二维材料与基底的结合力,同时具有好的机械强度,从而有效实现方华膜辅助二维材料从基底无损、大面积地转移至目标基底上。本发明可实现二维材料的大面积无损转移,采用溶剂辅助方法,无需刻蚀基底,转移过程温和,尤其适用于二维敏感材料的无损转移。该方法具有普适性,可用于低维纳米材料的转移,及二维材料TEM样品制备。

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