公开(公告)号：CN109678511B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201811576879.9

申请日：2018-12-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郝巍 ,  赵晓峰 ,  倪娜 ,  蔡黄越 ,  姚尧 ,  易妹玉 ,  郭芳威 ,  肖平

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种致密HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷的制备方法，将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1～10∶1～20∶1～5的比例混合，获得混合粉体，经过进行球磨混合均匀，然后进行干燥，形成均匀的混合粉体；将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结，即原位碳‑硼热还原反应‑烧结致密化一步工艺完成，制备得到致密度为94.0％～100％且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷。与现有技术相比，本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布，同时其陶瓷烧结体具有较高的致密性和断裂韧性，避免传统先制备粉体过程中难以控制成分和晶粒尺寸，后期烧结陶瓷过程中难以致密化。

公开(公告)号：CN109678511A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811576879.9

申请日：2018-12-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郝巍 ,  赵晓峰 ,  倪娜 ,  蔡黄越 ,  姚尧 ,  易妹玉 ,  郭芳威 ,  肖平

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/5622 ,  C04B35/58078 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615

Abstract: 本发明涉及一种致密HfC(Si)-HfB2复相陶瓷的制备方法，将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1～10∶1～20∶1～5的比例混合，获得混合粉体，经过进行球磨混合均匀，然后进行干燥，形成均匀的混合粉体；将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结，即原位碳-硼热还原反应-烧结致密化一步工艺完成，制备得到致密度为94.0％～100％且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)-HfB2复相陶瓷。与现有技术相比，本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布，同时其陶瓷烧结体具有较高的致密性和断裂韧性，避免传统先制备粉体过程中难以控制成分和晶粒尺寸，后期烧结陶瓷过程中难以致密化。