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公开(公告)号:CN1238303C
公开(公告)日:2006-01-25
申请号:CN200410025679.6
申请日:2004-07-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624 , B32B18/00
Abstract: 本发明涉及一种负热膨胀系数可调的叠层陶瓷基复合材料及其制备方法,采用离心注浆成型工艺,分别将组分为立方相钨酸锆ZrW2O8或掺杂改性的钨酸锆ZrW2O8负膨胀粉体材料以及近零膨胀非晶氧化硅SiO2粉体分散在聚乙烯醇溶液,配成钨酸锆粉体浆料及氧化硅粉体浆料;然后采用离心沉积的手段,将粉体浆料中的水性成分脱去,将钨酸锆粉体与氧化硅粉体多次交替沉积在过滤片上,形成叠层复合材料的坯体,然后高温烧结,获得致密的叠层陶瓷复合材料。本发明的叠层陶瓷复合材料在温度为-20~80℃的范围内,膨胀系数为-8.0×10-6~-3.0×10-6/℃,能用于制作非温敏性光器件或电子器件的温度补偿封装基片。
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公开(公告)号:CN1594207A
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN200410025679.6
申请日:2004-07-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624 , B32B18/00
Abstract: 本发明涉及一种负热膨胀系数可调的叠层陶瓷基复合材料及其制备方法,采用离心注浆成型工艺,分别将组分为立方相钨酸锆ZrW2O8或掺杂改性的钨酸锆ZrW2O8负膨胀粉体材料以及近零膨胀非晶氧化硅SiO2粉体分散在聚乙烯醇溶液,配成钨酸锆粉体浆料及氧化硅粉体浆料;然后采用离心沉积的手段,将粉体浆料中的水性成分脱去,将钨酸锆粉体与氧化硅粉体多次交替沉积在过滤片上,形成叠层复合材料的坯体,然后高温烧结,获得致密的叠层陶瓷复合材料。本发明的叠层陶瓷复合材料在温度为-20~80℃的范围内,膨胀系数为-8.0~-3.0×10-6/℃,能用于制作非温敏性光器件或电子器件的温度补偿封装基片。
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