公开(公告)号：CN103682959A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310560042.6

申请日：2013-11-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姜淳 ,  孙璐 ,  张瑶晶

IPC: H01S3/067

Abstract: 本发明提供了一种基于铒铥钕共掺光纤的超宽带光源，包括泵浦激光器、泵浦耦合器和铒铥钕共掺光纤，所述铒铥钕共掺光纤是指掺杂了铒、铥、钕三种稀土离子的光纤；所述泵浦激光器、泵浦耦合器和铒铥钕共掺光纤依次连接；所述泵浦激光器发出的泵浦光通过泵浦耦合器进入铒铥钕共掺光纤，由输出端发射宽带光。本发明的有益技术效果在于：结构简单，实现容易，通过对铒、铥、钕三种稀土离子掺杂浓度和光纤长度适当选取，可以得到宽带的覆盖全波光纤低损耗窗口的光纤光源，从而可以充分利用全波光纤的带宽。

公开(公告)号：CN103682961A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310560649.4

申请日：2013-11-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张瑶晶 ,  孙璐 ,  姜淳

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/0941 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明公开了一种超宽带光纤光源系统，该超宽带光纤光源系统包括铒离子掺杂光纤、铋离子掺杂光纤、半导体泵浦激光器以及宽带光纤耦合器，所述半导体泵浦激光器与所述宽带光纤耦合器分别通过所述铒离子掺杂光纤和所述铋离子掺杂光纤连接所述宽带光纤耦合器，且所述宽带光纤耦合器连接一输出端；所述半导体泵浦激光器泵浦后产生泵浦光，所述泵浦光分别泵浦所述铒离子掺杂光纤和所述铋离子掺杂光纤，从而分别形成铒离子掺杂光纤超荧光和铋离子掺杂光纤超荧光，且所述铒离子掺杂光纤超荧光和所述铋离子掺杂光纤超荧光通过所述宽带光纤耦合器耦合，得到发射范围在1100nm-1600nm超宽带光纤光源，并从所述输出端输出，以供使用。

公开(公告)号：CN103682960A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310560641.8

申请日：2013-11-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姜淳 ,  孙璐 ,  张瑶晶

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/06

Abstract: 本发明提供了一种超宽带光源，泵浦光发射装置发射泵浦光，铒、铥和钕（或镝，镨）离子分别掺杂的光纤在被泵浦光发射装置泵浦后分别产生三路自发辐射，三路自发辐射分别在泵浦光的抽运下得到放大，形成三路荧光，三路荧光通过光纤耦合器耦合，在光纤耦合器的输出端得到超宽带荧光。本发明的有益技术效果在于：使用第一掺杂光纤、第二掺杂光纤和第三掺杂光纤三种光纤的并联结构，可实现1100nm-1600nm带宽的超宽带光纤光源；本发明结构简单，且避免了铒、铥和钕（或镝，镨）三种离子共同掺杂光纤可能会使三个波段的电子跃迁相互影响的缺陷，光谱效率高。