公开(公告)号：CN101426948A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014294.1

申请日：2007-04-19

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 黛良享

IPC: C23C14/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/653 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/086 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明涉及用于成膜透明导电膜的ZnO蒸镀材料，其中包含ZnO纯度为98％以上的ZnO的粒料，粒料含有选自Y、La、Sc、Ce、Pr、Nd、Pm及Sm的1种或2种以上的稀土类元素。ZnO的粒料为多晶体或单晶体。通过以该ZnO蒸镀材料为靶材料的真空成膜法而形成的ZnO膜，能够得到良好的导电性。该真空成膜法优选为电子束蒸镀法、离子镀法或溅射法。

公开(公告)号：CN100543173C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200580030937.2

申请日：2005-07-13

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  黛良享 ,  平田宽树

IPC: C23C14/24 ,  H01J11/02 ,  C04B35/04

Abstract: 一种用于形成等离子体显示面板保护膜的MgO蒸镀材料，其包含MgO纯度为98%以上、且相对密度为90%以上的MgO粒料。粒料仅含有Sc元素作为稀土类元素。Sc元素的浓度为5～5000ppm、优选为10～3000ppm、进而优选20～2000ppm。

公开(公告)号：CN101018883A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030937.2

申请日：2005-07-13

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  黛良享 ,  平田宽树

IPC: C23C14/24 ,  H01J11/02 ,  C04B35/04

Abstract: 一种用于形成等离子体显示面板保护膜的MgO蒸镀材料，其包含MgO纯度为98％以上、且相对密度为90％以上的MgO粒料。粒料仅含有Sc元素作为稀土类元素。Sc元素的浓度为5～5000ppm、优选为10～3000ppm、进而优选20～2000ppm。

公开(公告)号：CN1985020A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023452.0

申请日：2005-07-13

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  黛良享 ,  平田宽树

IPC: C23C14/24 ,  C04B35/04 ,  H01J11/02

Abstract: 为形成等离子体显示面板保护膜的MgO蒸镀材料含有MgO纯度在98％以上，并且相对密度在90％以上的MgO颗粒。该颗粒含有选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1种或2种以上元素。含有Y时，Y的浓度为5～10000ppm；含有La时，La的浓度为5～15000ppm；含有Ce时，Ce的浓度为5～16000ppm；含有Pr时，Pr的浓度为5～16000ppm；含有Nd时，Nd的浓度为5～16000ppm；含有Pm时，Pm的浓度为5～16000ppm；含有Sm时，Sm的浓度为5～16000ppm。

公开(公告)号：CN101426948B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200780014294.1

申请日：2007-04-19

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 黛良享

IPC: C23C14/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/653 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/086 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明涉及用于成膜透明导电膜的ZnO蒸镀材料，其中包含ZnO纯度为98％以上的ZnO的粒料，粒料含有选自Y、La、Sc、Ce、Pr、Nd、Pm及Sm的1种或2种以上的稀土类元素。ZnO的粒料为多晶体或单晶体。通过以该ZnO蒸镀材料为靶材料的真空成膜法而形成的ZnO膜，能够得到良好的导电性。该真空成膜法优选为电子束蒸镀法、离子镀法或溅射法。