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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102144181B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980134602.3
申请日：2009-08-21
Applicant: 三菱电线工业株式会社
CPC classification number: G02B6/2551 , G02B6/0365 , G02B6/262 , G02B6/268
Abstract: 本发明提供一种抑制MPI发生的光纤的连接结构。在第一单模光纤(10a)和第二单模光纤(20)之间配置有归一化频率不足2.405且长度在2mm以上30mm以下的连接用光纤(30)，第二单模光纤(20)与连接用光纤(30)熔接在一起。传输光从第一单模光纤(10a)输入第二单模光纤(20)，但在第二单模光纤(20)中不产生高次模。
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公开(公告)号：CN102165345A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137197.0
申请日：2009-08-21
Applicant: 三菱电线工业株式会社
IPC: G02B6/036 , C03B37/014 , G02B6/00
CPC classification number: G02B6/03683 , C03B37/01446 , C03B2201/08 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2203/23 , G02B6/03694 , G02B6/14
Abstract: 本发明公开一种光纤(10)，其包括：纤芯(11)、覆盖该纤芯(11)设置且折射率比该纤芯(11)低的第一包层(12)、以及覆盖第一包层(12)设置且折射率比该第一包层(12)低的第二包层(13)。在第一包层(12)中掺杂有光衰减掺杂剂，该光衰减掺杂剂的浓度从内周侧朝着外周侧增加。在第一包层(12)中掺杂有光衰减掺杂剂，该光衰减掺杂剂的浓度从内周侧朝着外周侧增加。
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公开(公告)号：CN102171594A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980132892.8
申请日：2009-08-21
Applicant: 三菱电线工业株式会社
CPC classification number: G02B6/02366 , G02B6/02376 , G02B6/03644 , G02B6/0365 , G02B6/2552 , G02B6/262 , G02B6/268 , G02B6/381
Abstract: 本发明提供一种在使用通过在光纤中设置空孔来提高耐弯曲性的光纤时抑制MPI发生的光纤的连接结构，以及抑制MPI发生的单模光纤。第二单模光纤(20)在第二包层部分具备空孔(28)，弯曲损耗小。在第二单模光纤(20)与第一单模光纤(10a)的连接部分，存在将空孔(28)填塞长度L0而成为实心的部分，在该部分中LP11模式的光大幅衰减从而抑制MPI发生。
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公开(公告)号：CN102902008A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210261813.7
申请日：2012-07-26
Applicant: 三菱电线工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种聚合物包层光纤及其制造方法。聚合物包层光纤(11)具有由玻璃形成的光传输线(11a)和包覆该光传输线(11a)而设的包层(11b)。形成包层(11b)的包层材料含有由于硅氢化反应所引起的交联而已固化的全氟醚聚合物。因此，能够得到具有数值孔径较高且防潮性较优良的聚合物包层光纤。
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公开(公告)号：CN102144181A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134602.3
申请日：2009-08-21
Applicant: 三菱电线工业株式会社
CPC classification number: G02B6/2551 , G02B6/0365 , G02B6/262 , G02B6/268
Abstract: 本发明提供一种抑制MPI发生的光纤的连接结构。在第一单模光纤(10a)和第二单模光纤(20)之间配置有归一化频率不足2.405且长度在2mm以上30mm以下的连接用光纤(30)，第二单模光纤(20)与连接用光纤(30)熔接在一起。传输光从第一单模光纤(10a)输入第二单模光纤(20)，但在第二单模光纤(20)中不产生高次模。
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