公开(公告)号：CN1196200C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN01110951.3

申请日：2001-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生股份有限公司

Inventor： 林正美 ,  小林正直

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78636

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有包含沟道区的薄膜场效应晶体管，该方法包括：在基板上形成非晶态半导体膜的工序；通过对上述非晶态半导体膜进行热处理，形成包含作为上述沟道区的区域的晶体半导体膜的工序；以及除去上述晶体半导体膜的表面层的工序，上述形成晶体半导体膜的工序，包含把上述半导体膜中的杂质浓缩或偏析到上述晶体半导体膜的表面层中的提纯工序，且上述提纯工序包括在对上述非晶态半导体膜热处理时，把上述非晶态半导体膜中的与上述基板邻接的区域的温度降到低于上述非晶态半导体膜的上表面层的温度。

公开(公告)号：CN1312591A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01110951.3

申请日：2001-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生股份有限公司

Inventor： 林正美 ,  小林正直

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78636

Abstract: 提供一种可靠性高的、具有包含沟道区(6a～6d)的薄膜场效应晶体管的半导体装置,其包括基板(1)和半导体膜。该半导体膜包含在基板1上形成的薄膜场效应晶体管(19、20、22)的沟道区(6a～6d)。通过除去半导体膜的上表面层对半导体膜的上表面(25a～25d)进行平整化处理。

公开(公告)号：CN1138176C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN00135291.1

申请日：2000-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 青木理 ,  小林正直

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供了可以得到即便是存在着使a-Si进行pSi化的误发射，也可以避免有可能使显示质量劣化的配置，因而实现窄边框化的液晶显示装置。驱动电路区域的多个驱动晶体管(30)的栅极布线(41)，平面性地看来，沿着具有不同的2个方向的2个线段和弯曲部分(90)的折线配置，驱动晶体管的沟道区(31)，平面性地看来，不与该弯曲部分重复地沿着该2个线段配置。

公开(公告)号：CN1299073A

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：CN00135291.1

申请日：2000-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 青木理 ,  小林正直

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供了可以得到即便是存在着使a－Si进行pSi化的误发射,也可以避免有可能使显示质量劣化的配置,因而实现窄边框化的液晶显示装置。驱动电路区域的多个驱动晶体管(30)的栅极布线(41),平面性地看来,沿着具有不同的2个方向的2个线段和弯曲部分(90)的折线配置,驱动晶体管的沟道区(31),平面性地看来,不与该弯曲部分重复地沿着该2个线段配置。