公开(公告)号：CN100505310C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200510065700.X

申请日：2005-04-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 丰田吉彦 ,  坂本孝雄 ,  須贺原和之 ,  中川直纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/088 ,  H04N5/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体装置和图像显示装置，可以提高源漏耐压和AC应力耐性，且获得所希望的电流特性。为此，在玻璃基板(1)上形成硅氮化膜(2)和硅氧化膜(3)。在该硅氧化膜(3)上形成包含源区(45)、漏区(46)、具有规定沟道长度方向上的长度的沟道区(40)、杂质浓度都比源区低的GOLD区(41)和LDD区(43)、杂质浓度都比漏区低的GOLD区(42)和LDD区(44)、栅绝缘膜(5)和栅电极(6a)的薄膜晶体管(T)。栅电极(6a)与沟道区(40)和GOLD区(41、42)相对置地重叠。

公开(公告)号：CN1691354A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510065700.X

申请日：2005-04-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 丰田吉彦 ,  坂本孝雄 ,  須贺原和之 ,  中川直纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/088 ,  H04N5/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体装置和图像显示装置，可以提高源漏耐压和AC应力耐性，且获得所希望的电流特性。为此，在玻璃基板(1)上形成硅氮化膜(2)和硅氧化膜(3)。在该硅氧化膜(3)上形成包含源区(45)、漏区(46)、具有规定沟道长度方向上的长度的沟道区(40)、杂质浓度都比源区低的GOLD区(41)和LDD区(43)、杂质浓度都比漏区低的GOLD区(42)和LDD区(44)、栅绝缘膜(5)和栅电极(6a)的薄膜晶体管(T)。栅电极(6a)与沟道区(40)和GOLD区(41、42)相对置地重叠。