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公开(公告)号:CN117083708A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202180096532.8
申请日:2021-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/36
Abstract: 提供能够降低由于制造时的加热而使树脂壳体受到的损伤的半导体装置、及能够降低由于制造时的加热而使树脂壳体受到的损伤的半导体装置的制造方法。半导体装置具有基座板、绝缘基板、半导体元件以及树脂壳体,基座板具有在俯视观察时彼此位置不同的区域即第1区域及第2区域,绝缘基板接合于基座板的第2区域的上表面之上,绝缘基板在上表面具有电路图案,半导体元件接合于电路图案之上,树脂壳体接合于基座板的第1区域的上表面之上,基座板中的第1区域的上表面与下表面之间的热阻高于基座板中的第2区域的上表面与下表面之间的热阻。
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公开(公告)号:CN116711072A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202180090933.2
申请日:2021-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明涉及的半导体装置具有:基座板,其具有上表面和与上表面相反侧的背面,在背面形成有环状的槽;基板,其设置于基座板的上表面;以及半导体芯片,其设置于基板的上表面,基座板具有以向上表面侧凸出的方式翘曲的凸翘曲部,就槽中的形成于凸翘曲部的部分而言,越远离凸翘曲部中的翘曲最大的最大翘曲部则越深。
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公开(公告)号:CN115053338A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202080095409.X
申请日:2020-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 目的在于提供在半导体装置中,能够对基座板与壳体的嵌合不良进行抑制,并且能够确保框架的连接性的技术。就半导体装置(1)而言,框架(2、3)具有:第1框架部(2b、3b),它们在与连接面平行的方向上延伸且与连接面连接;以及第2框架部(2a、3a),它们将壳体(18)和第1框架部(2b、3b)连接。第1框架部(2b、3b)被分割为多个分割部(2c、2d)。第1框架部(2b、3b)的多个分割部(2c、2d)之中的至少1个分割部(2d)为弹性部,该弹性部能够从以前端部位于比连接面靠下方处的方式倾斜的第1状态弹性变形为在与连接面平行的方向上延伸的第2状态。作为弹性部的分割部(2d)在从第1状态弹性变形为第2状态的状态下与连接面连接。
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