-
公开(公告)号:CN115050721A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202210209854.5
申请日:2022-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/68 , H01L21/60
Abstract: 提供如下半导体装置及该半导体装置的制造方法,即,不使用专用的定位夹具,也能够相对于金属电路图案将半导体元件高精度地定位,能够廉价地进行制造。半导体装置具有绝缘基板、半导体元件,绝缘基板具有绝缘层和在绝缘层的上表面设置的金属电路图案,半导体元件被焊料接合于金属电路图案的上表面,在金属电路图案的上表面中的不对半导体元件进行焊料接合的区域设置有氧化膜或氮化膜。