公开(公告)号：CN116504728A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310063286.7

申请日：2023-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石野雅章

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L23/373

Abstract: 目的在于提供能够抑制生产率的恶化并且抑制半导体装置内的温度不均的技术。半导体装置具有：散热器(12)，其在一面侧具有散热鳍片(11)；多个半导体模块(1、2、3)，它们配置于散热器(12)的另一面侧；以及多个散热材料(21、22、21)，它们分别设置于多个半导体模块(1、2、3)与散热器(12)之间，多个散热材料(21、22、21)中的在容易发生温度上升的半导体模块与散热器(12)之间设置的散热材料的厚度比除此以外的散热材料的厚度薄。

公开(公告)号：CN110198128B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201910139296.8

申请日：2019-02-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石野雅章 ,  西田信也

IPC: H02M7/00 ,  H02M7/483 ,  H02M7/5387

Abstract: 提供抑制了芯片温度的上升的3电平I型逆变器。具有：第1～第4开关器件，它们连接于第1、第2电位之间；第1～第4二极管，它们分别与第1～第4开关器件反向并联连接；以及第5、第6二极管，它们在第1、第2开关器件的连接节点和第3、第4开关器件的连接节点之间，以相对于第2、第3开关器件的串联连接反向并联的方式串联连接，第5、第6二极管的连接节点与输入节点连接，该输入节点呈第1电位与第2电位的中间电位，第2、第3开关器件的连接节点与输出节点连接，第2开关器件及二极管由第1反向导通IGBT构成，第3开关器件及二极管由第2反向导通IGBT构成。

公开(公告)号：CN110198128A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910139296.8

申请日：2019-02-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石野雅章 ,  西田信也

IPC: H02M7/00 ,  H02M7/483 ,  H02M7/5387

Abstract: 提供抑制了芯片温度的上升的3电平I型逆变器。具有：第1～第4开关器件，它们连接于第1、第2电位之间；第1～第4二极管，它们分别与第1～第4开关器件反向并联连接；以及第5、第6二极管，它们在第1、第2开关器件的连接节点和第3、第4开关器件的连接节点之间，以相对于第2、第3开关器件的串联连接反向并联的方式串联连接，第5、第6二极管的连接节点与输入节点连接，该输入节点呈第1电位与第2电位的中间电位，第2、第3开关器件的连接节点与输出节点连接，第2开关器件及二极管由第1反向导通IGBT构成，第3开关器件及二极管由第2反向导通IGBT构成。