半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116613117A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310097308.1

    申请日:2023-02-10

    Abstract: 目的在于提供能够在半导体装置中抑制浪涌电压的产生并且使散热性提高的技术。半导体装置(1)具有:半导体元件,具有第1电极和第2电极;封装树脂(2),在俯视观察时形成为矩形状,对半导体元件进行封装;第1散热板(7),与第1电极电连接,在俯视观察时从封装树脂(2)的第1边凸出;第2散热板(8),与第2电极电连接,在俯视观察时从封装树脂(2)的与第1边相对的第2边凸出;第1端子(4),与第1电极电连接,在俯视观察时从封装树脂(2)的与第1边交叉的第3边凸出;以及第2端子(5),与第2电极电连接,在俯视观察时从封装树脂(2)的第3边凸出,第1散热板(7)和第2散热板(8)能够固定于散热器(9)。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115763447A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211033180.4

    申请日:2022-08-26

    Abstract: 目的在于提供能够对在将多个半导体装置并联连接时产生的电流及热量的不平衡进行抑制的技术。半导体装置(1)具有半导体元件、封装树脂(2)、栅极端子(3)、漏极端子(4)、源极端子(5)、与漏极电连接且在俯视观察时从封装树脂(2)的与第1边交叉的第2边凸出的散热板(6)、以及与漏极电连接且在俯视观察时从封装树脂(2)的与第2边相对的第3边凸出的散热板(7)。散热板(6)的前端部的下表面的高度位置与散热板(7)的根端部的上表面的高度位置、及散热板(7)的前端部的下表面的高度位置与散热板(6)的根端部的上表面的高度位置中的至少一者相同。

    开关装置、半导体装置及开关装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115411008A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210566942.0

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 提供端子的配置不同的开关装置的制造所需要的成本少的开关装置、半导体装置及开关装置的制造方法。开关装置具有:开关元件;芯片焊盘;栅极端子;与芯片焊盘一体的第1电力端子;以及第2电力端子,栅极端子、第1电力端子及第2电力端子各自在俯视观察时相对于芯片焊盘位于第1方向侧,栅极端子、第1电力端子及第2电力端子在俯视观察时在与第1方向垂直的第2方向上以栅极端子、第1电力端子、第2电力端子的顺序或相反的顺序排列,开关元件在上表面具有第1栅极焊盘和第2栅极焊盘,与第2栅极焊盘相比第1栅极焊盘靠近栅极端子,与第1栅极焊盘相比第2栅极焊盘靠近第2电力端子,第1栅极焊盘与栅极端子通过导线进行连接。

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