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发明公开
抗蚀剂剥离装置和抗蚀剂剥离液管理方法以及半导体装置无效

公开(公告)号：CN1308256A

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN00133195.7

申请日：2000-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村中诚志 , 田中博司 , 保利义幸

IPC: G03F7/42 , H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/3071 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/67057

Abstract: 本发明涉及使用由多成分组成的抗蚀剂剥离液来剥离附着于半导体晶片的抗蚀剂残渣的抗蚀剂,其目的在于将抗蚀剂剥离液的成分比率长期维持在适当的范围内。设置贮存抗蚀剂剥离液的剥离液槽14。设置监视抗蚀剂剥离液的成分比率的导电率监视器46。设置根据该导电率估计抗蚀剂剥离液的成分比率并根据该估计结果对上述抗蚀剂剥离液适量地添加抗蚀剂剥离液的不足成分的添加成分罐50。

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