公开(公告)号：CN101587912B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810182375.9

申请日：2008-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉浦康博 ,  井上雅规

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1016 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在n型的半导体衬底(1)的一个主表面的一侧，形成有p型扩散区域(3)作为二极管的阳极(2)。以包围该阳极(2)的方式，形成有由p型扩散区域(5)构成的保护环(6)。在另一主表面的一侧形成有n型超高浓度杂质层(12)和n型高浓度杂质层(11)作为阴极。在阴极的与保护环(6)对置的保护环对置区域(15)形成有阴极侧p型扩散区域(14)。由此，电流在阳极的外周端部集中被抑制。

公开(公告)号：CN101587912A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200810182375.9

申请日：2008-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉浦康博 ,  井上雅规

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1016 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在n型的半导体衬底(1)的一个主表面的一侧，形成有p型扩散区域(3)作为二极管的阳极(2)。以包围该阳极(2)的方式，形成有由p型扩散区域(5)构成的保护环(6)。在另一主表面的一侧形成有n型超高浓度杂质层(12)和n型高浓度杂质层(11)作为阴极。在阴极的与保护环(6)对置的保护环对置区域(15)形成有阴极侧p型扩散区域(14)。由此，电流在阳极的外周端部集中被抑制。

公开(公告)号：CN101159285A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710110267.6

申请日：2007-06-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上雅规

IPC: H01L29/32 ,  H01L21/30 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种可将二极管的pn结的耐压特性的变化抑制得较小并能够进行最佳的载流子寿命的控制的半导体装置。在半导体装置(1)的n型半导体衬底(2)的上主面附近，在低浓度n型杂质层(3)与p型扩散区域(5)的界面上形成有pn结。在该半导体装置(1)的上主面上载置由吸收体构成的掩模(15)并进行电子束照射，然后进行热处理。其结果是，晶格缺陷密度的峰值为n型半导体衬底(2)的上主面附近，晶格缺陷密度以朝向下主面递减的方式分布。由此，能够得到将二极管的pn结的耐压特性的变化抑制得较小并能够进行最佳的载流子寿命的控制的半导体装置。