Patent search ap:("三菱瓦斯化学株式会社") AND inv:"杨智量" Page 1

1.

发明公开
存储元件用半导体基板的蚀刻组合物和使用其的存储元件用半导体基板的制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117581338A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045082.4

申请日：2022-06-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 , 安谷屋智幸 , 杨智量 , 王舶纮

IPC: H01L21/308

Abstract: 提供一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其能够提供具有改善的性能的存储元件用半导体基板。一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其包含(A)氧化剂、(B)氟化合物、和(C)金属钨防腐剂，前述(C)金属钨防腐剂包含选自由下述式(1)所示的铵盐和具有碳数14～30的烷基的杂芳基盐组成的组中的至少一种。#imgabs0#

Patent Agency Ranking