公开(公告)号：CN100521267C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610138809.6

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

公开(公告)号：CN101504962B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910009653.5

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

公开(公告)号：CN101504962A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910009653.5

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。