一种应用预失真的功放保护装置及功放保护方法

    公开(公告)号:CN110190822A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910568561.4

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种应用预失真的功放保护装置,包括信号通道选择开关、预失真处理器和比较器,所述预失真处理器布置在预失真通道上,所述信号通道选择开关接收比较器输出的控制信号控制输入信号在直通通道和预失真通道之间切换;本发明还公开了一种应用预失真的功放保护方法。本发明通过对杂散信号的检测,控制预失真处理器在预失真状态和复位状态之间切换,避免因带外产生的带宽较宽且幅度较大杂散信号造成功放的损坏,同时又保留正常的带外散射信号用于非线性校正。

    一种拓宽TDD模式下的doherty功放视频带宽的方法及视频带宽增强功放器

    公开(公告)号:CN104104335A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201410318348.5

    申请日:2014-07-04

    Inventor: 季军 金古 俞利光

    Abstract: 本发明涉及一种拓宽TDD模式下的doherty功放视频带宽的方法及视频带宽增强功放器,所述视频带宽增强功放器包括推动级功放器和末级功放器,所述推动级功放器由栅压供电网络a、漏压供电网络a、功率分配网络a、合路网络、推动功放a和推动功放b组成,其中,所述栅压供电网络a由栅压偏置电路a、栅压偏置电路b、视频带宽增强网络a、视频带宽增强网络b组成。本发明有益的效果:本发明可大大提高功率放大器效率的同时,通过合适选取视频带宽增强网络中的阻容值,有效改善了doherty功放的视频带宽,使得其应用于同一个TDD模式的数字预失真平台时的线性指标得到了显著的提高。

    GaN功放管的控制系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111817669A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010613015.0

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本申请涉及一种GaN功放管的控制系统,包括栅极控制单元、漏极控制单元;栅极控制单元和漏极控制单元分别连接GaN功放管的栅极和漏极,栅极控制单元用于将第一电源转换为GaN功放管的栅极电压,漏极控制单元包括第一开关管和第一稳压管,第一稳压管用于在GaN功放管的栅极连接栅极电压预设时长后使第一开关管导通,或在GaN功放管的栅极关断与栅极电压连接之前使第一开关管关断,第一开关管用于将第一漏极上电或掉电。通过本申请,解决了GaN功放管的栅极和漏极的上电和掉电没有产生足够的时间差来对其进行保护的问题,实现了GaN功放管的漏极延迟上电,掉电时漏极快速放电,保护GaN功放管上电或掉电时不被损坏的有益效果。

    场效应管的供电控制器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119276249A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411419946.1

    申请日:2024-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种场效应管的供电控制器件,其中,上述供电控制器件包括:供电控制器件的输入端与场效应管的栅极连接,供电控制器件的输出端与漏极开关模块的输入端连接;场效应管的漏极与漏极开关模块的输出端连接;漏极开关模块被设置为按照告警信号进行关闭或者按照运行信号进行开启。采用上述技术方案,解决了相关技术中电路出现故障或调试不当等导致场效应管器件损坏等问题。

    一种应用预失真的功放保护装置及功放保护方法

    公开(公告)号:CN110190822B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN201910568561.4

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种应用预失真的功放保护装置,包括信号通道选择开关、预失真处理器和比较器,所述预失真处理器布置在预失真通道上,所述信号通道选择开关接收比较器输出的控制信号控制输入信号在直通通道和预失真通道之间切换;本发明还公开了一种应用预失真的功放保护方法。本发明通过对杂散信号的检测,控制预失真处理器在预失真状态和复位状态之间切换,避免因带外产生的带宽较宽且幅度较大杂散信号造成功放的损坏,同时又保留正常的带外散射信号用于非线性校正。

    一种基于自动电平控制的功放控制系统及方法

    公开(公告)号:CN110351630B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201910521229.2

    申请日:2019-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于自动电平控制的功放控制系统及方法,主要包括可控衰减电路等,可控衰减电路的第一输入端接信号输入,可控衰减电路的第二输入端接差动积分电路的输出控制信号Vp,可控衰减电路的输出端接信号传输电路输入端,信号传输电路的输出端接末级功放管的输入端,末级功放管输出端为信号输出;温度检测电路用于功放温度的检测。本发明还可以增加电压控制电路来降低功放管静态功耗。本发明有益的效果:除降功率的方法外,还采用了降低功放管静态功耗的方法来降低功耗,最终本发明的最小输出功率和最小静态下的功放功耗非常小,因此可以使功放在极端的高温条件下保持一定的功率输出,使系统保持部分通信功能。

    预失真处理装置、信号传输系统和预失真处理方法

    公开(公告)号:CN111147412A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911353866.X

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本申请涉及一种预失真处理装置、信号传输系统和预失真处理方法。其中,该预失真处理装置包括依次连接的预失真单元、传输单元和耦合单元,其中耦合单元的反馈通路与预失真单元连接,该预失真处理装置还包括:生成单元、合路单元,其中,生成单元用于生成带宽大于系统输入信号的宽带信号,且宽带信号为非跳变信号;合路单元,包括第一输入端、第二输入端和输出端,合路单元的第一输入端与生成单元的输出端连接,合路单元的第二输入端用于接收系统输入信号,合路单元的输出端与预失真单元的输入端连接。通过本申请,解决了相关技术对窄带信号或跳频信号进行预失真处理的校正效果差的问题,改善了对窄带信号和跳频信号的预失真校正效果。

    GaN功率器件的保护电路
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111146770A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911413201.3

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本申请提供了一种GaN功率器件的保护电路。该电路包括:负压生成单元、栅极电压切换单元和漏极电压切换单元;负压生成单元包括负压转换子单元和负压比较子单元,负压转换子单元用于将供电电源转换为栅极保护电压;负压比较子单元用于在栅极保护电压的幅值低于预设幅值的情况下输出漏极电压关断信号;通过将漏极电压切换单元的推挽电路子单元分别连接至负压比较子单元的输出端、公共端、GaN功率器件的漏极以及GaN功率器件的漏极的供电电源,推挽电路子单元用于根据漏极电压关断信号将GaN功率器件的漏极与公共端导通。本申请解决了GaN功率器件的保护电路掉电导致GaN功率器件容易被烧坏的问题,避免了GaN功率器件的保护电路掉电导致的GaN功率器件的损坏。

    预失真处理装置、信号传输系统和预失真处理方法

    公开(公告)号:CN111147412B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN201911353866.X

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本申请涉及一种预失真处理装置、信号传输系统和预失真处理方法。其中,该预失真处理装置包括依次连接的预失真单元、传输单元和耦合单元,其中耦合单元的反馈通路与预失真单元连接,该预失真处理装置还包括:生成单元、合路单元,其中,生成单元用于生成带宽大于系统输入信号的宽带信号,且宽带信号为非跳变信号;合路单元,包括第一输入端、第二输入端和输出端,合路单元的第一输入端与生成单元的输出端连接,合路单元的第二输入端用于接收系统输入信号,合路单元的输出端与预失真单元的输入端连接。通过本申请,解决了相关技术对窄带信号或跳频信号进行预失真处理的校正效果差的问题,改善了对窄带信号和跳频信号的预失真校正效果。

    GaN功率器件的保护电路
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111146770B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201911413201.3

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本申请提供了一种GaN功率器件的保护电路。该电路包括:负压生成单元、栅极电压切换单元和漏极电压切换单元;负压生成单元包括负压转换子单元和负压比较子单元,负压转换子单元用于将供电电源转换为栅极保护电压;负压比较子单元用于在栅极保护电压的幅值低于预设幅值的情况下输出漏极电压关断信号;通过将漏极电压切换单元的推挽电路子单元分别连接至负压比较子单元的输出端、公共端、GaN功率器件的漏极以及GaN功率器件的漏极的供电电源,推挽电路子单元用于根据漏极电压关断信号将GaN功率器件的漏极与公共端导通。本申请解决了GaN功率器件的保护电路掉电导致GaN功率器件容易被烧坏的问题,避免了GaN功率器件的保护电路掉电导致的GaN功率器件的损坏。

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