公开(公告)号：CN1131285A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95118314.1

申请日：1995-10-31

Applicant: 三田工业株式会社

Inventor： 辻田充司 ,  田中作白 ,  寺田幸史 ,  寺田卓司 ,  山里一郎 ,  宫本荣一

IPC: G03G15/06

CPC classification number: G03G13/22 ,  G03G15/065

Abstract: 一种电子照像方法，其中，施加显影偏压将光敏材料上的静电潜影，显影所述偏压与光敏材料的电荷极性相同，该显影偏压值高于光衰减特性曲线中，接近大曝光量区之曲线与接近小曝光量区之曲线相交之点的相应电势。

公开(公告)号：CN1130622A

公开(公告)日：1996-09-11

申请号：CN95118295.1

申请日：1995-10-18

Applicant: 三田工业株式会社

Inventor： 宫本荣一 ,  角井干男 ,  中森英雄 ,  今中之胜 ,  佐久间忠司 ,  内田真纪 ,  岩崎宏昭 ,  花谷靖之 ,  田中作日 ,  中村结花

IPC: C07C211/58 ,  G03G5/06

Abstract: 本发明提供了一种具有优异的电荷转移能力，与粘合树脂的相容性和稳定性，并提供了一种具有更高灵敏性和优异耐久性的光电敏感材料。上述萘二胺衍生物由上式(1)表示，并且上述的光电敏感材料通过在导电基材料提供作为电荷转移材料的该萘二胺衍生物而构成。式中，R1-R4，R5a-R5f和a-d如说明书中所述。

公开(公告)号：CN1122015A

公开(公告)日：1996-05-08

申请号：CN95105913.0

申请日：1995-05-30

Applicant: 三田工业株式会社

Inventor： 宫本荣一 ,  武藤成昭 ,  角井干男 ,  住田圭介 ,  深见季之 ,  山里一郎 ,  上垣内寿和 ,  田中裕二

IPC: G03G5/06

CPC classification number: C07C217/92 ,  C07C211/54 ,  C07C255/58 ,  G03G5/0614

Abstract: 本发明提供作为电荷转移材料特别是空穴转移材料的新的间苯二胺衍生物和具有高光敏性的电光敏材料。上述衍生物包括由上述通式(1)表示的化合物。电光敏材料包括在导电基底上的含有作为空穴转移材料的间苯二胺衍生物的光敏层。(式中R1和R2相同或不同，表示氢或可含有取代基的烷基；R3和R4相同或不同，表示含有3至5个碳原子的直链或支链的烷基；条件是R1、R2、R3和4不同时是相同的烷基)。