公开(公告)号：CN101106127A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710128330.9

申请日：2007-07-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  菊地修一 ,  大石桥康雄 ,  关雅夫 ,  西智昭

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 一种静电破坏保护电路，提高保护内部电路不受静电等浪涌电压影响的性能(动作速度或静电破坏耐性)。在配线(3)和VSS(接地电压)配线(4)之间连接N沟道型MOS晶体管(5)。在配线(3)和MOS晶体管(5)的栅极之间连接第一电容器(6)，在VSS配线(4)和栅极之间连接第二电容器(7)。施加在输入输出端子(2)上的电压由这些电容元件分压，将该分压电压对栅极施加。在浪涌产生时，通过分压电压将MOS晶体管(5)强制接通，流过电流，保护内部电路(1)。另外，相对于过大的浪涌，寄生双极晶体管接通。在双极和VSS配线(4)之间配置齐纳二极管(8)，以使施加在栅极上的电压不会上升到一定电压以上。