-
公开(公告)号：CN1185529C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02125163.0
申请日：2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 菱田光起
IPC: G02F1/1343 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C14/5806 , C23C8/10 , C23C14/086 , H01L51/5206
Abstract: 本发明提供一种蚀刻率较高且为低电阻的高透光率的ITO膜。在常温及添加水份的环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜，成膜后，进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。添加水份环境设为使成膜室内的水份总分压约为8.2×10-3帕以下，而在后续的退火过程发挥膜质改善效果，并且，通过使成膜室内的水份总分压为3.20×10-3帕以上，则可形成非晶质性的ITO膜，而在成膜后可迅速进行蚀刻处理。成膜后(图案化后)的热处理优选以约180℃以上(例如约220℃)的温度进行约1小时以上(例如约1小时～约3小时)为条件，由此，膜片将被多晶化，得到低电阻且高透光率的ITO膜。
-
公开(公告)号：CN1450838A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03121217.4
申请日：2003-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 菱田光起
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5259
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光面板，其可防止干燥剂(水分吸收剂)与EL基板的接触。本发明的有机电致发光面板是将密封基板(12)配置成与EL基板(10)相对。密封基板(12)周边的框部(12a)连接于EL基板(10)周边，且内侧空间(14)呈密闭状态，而仅在密封基板(12)的内侧空间(14)外侧区域中配置着干燥剂(16)。
-
公开(公告)号：CN100437946C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510115668.1
申请日：2005-11-08
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 菱田光起
IPC: H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置，其特征为：藉由等离子CVD法将氧化硅膜(51)沉积于玻璃基板(50)上，再藉由等离子CVD法将非晶硅膜(52)沉积于氧化硅膜(51)上；对非晶硅膜(52)照射准分子激光，一直加热到非晶硅膜(52)熔解为止并使其结晶化，以作成多晶硅膜(52A)；将此多晶硅膜(52A)蚀刻成预定的图案；将P型杂质例如硼离子植入于多晶硅膜(52A)中，藉由CVD法沉积由氧化硅膜构成的栅极绝缘膜(53)，以覆盖多晶硅膜(52A)，再于栅极绝缘膜(53)上形成栅极电极(54)。通过本发明可降低有机EL显示装置的横纹与纵纹的显示不均，从而提高显示质量。
-
公开(公告)号：CN1790641A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510115668.1
申请日：2005-11-08
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 菱田光起
IPC: H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置，其特征为：藉由等离子CVD法将氧化硅膜(51)沉积于玻璃基板(50)上，再藉由等离子CVD法将非晶硅膜(52)沉积于氧化硅膜(51)上；对非晶硅膜(52)照射准分子激光，一直加热到非晶硅膜(52)熔解为止并使其结晶化，以作成多晶硅膜(52A)；将此多晶硅膜(52A)蚀刻成预定的图案；将P型杂质例如硼离子植入于多晶硅膜(52A)中，藉由CVD法沉积由氧化硅膜构成的栅极绝缘膜(53)，以覆盖多晶硅膜(52A)，再于栅极绝缘膜(53)上形成栅极电极(54)。通过本发明可降低有机EL显示装置的横纹与纵纹的显示不均，从而提高显示质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1251557C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03105284.3
申请日：2003-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5221 , H01L2251/558
Abstract: 铝的阴极容易因针孔或灰尘而产生缺陷，水分从缺陷部跑进有机层会出现画面无法显示的问题，以致阴极有缺陷的装置全部被视为不良品。本发明的电致发光显示装置是将阴极膜厚制成2000～10000，通过将膜厚加大来填补蒸镀制造过程中的灰尘或空穴输送层的伤痕，减少阴极的缺陷。而且只要将Al层的膜厚加大即可，因此具有不需增加特别材料或制造过程就可降低缺陷的有利点。
-
公开(公告)号：CN1450839A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03121223.9
申请日：2003-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 菱田光起
CPC classification number: H05B33/04 , H01L27/3244 , H01L51/524 , H01L51/5256 , H01L51/56 , H05B33/10 , H05B33/26
Abstract: 本发明是在有机EL显示装置中，可在通过激光束的照射而进行编号的工序中，避免产生划线粉所导致的元件不合格。在装置基板(210)密封后才进行通过激光束(300)的照射而进行编号的工序。由于通过照射激光束，由铬层所形成的编号区域(213)飞散的划线粉(301)，被密封树脂(220)以及密封基板(230)阻挡，所以不至于附着在装置基板(210)上的有机EL元件(211)上。
-
公开(公告)号：CN1446033A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03119379.X
申请日：2003-03-14
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 菱田光起
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L51/5231 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种电致发光显示装置及其制造方法，其课题是：铝阴极容易产生缺陷，而当水分从缺陷部浸入有机层时，则会产生画面无法显示的问题，因此阴极缺陷的装置全部会成为不良处理。本发明的特征为：在阴极上设置由高熔点金属形成的保护膜。若利用溅镀形成阴极则会对有机层产生物理性影响，故需要利用蒸镀形成，然而，阴极上的保护膜是通过阴极的缓冲器(buffer)的作用，故可利用溅镀形成。由此，可在不与外面空气接触的状态下，在阴极形成后连续形成保护膜，故即使阴极产生缺陷，亦可利用保护膜来覆盖，因此具有可减少黑点(darkspot)的优点。
-
公开(公告)号：CN1441627A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03105284.3
申请日：2003-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5221 , H01L2251/558
Abstract: 铝的阴极容易因针孔或灰尘而产生缺陷，水分从缺陷部跑进有机层会出现画面无法显示的问题，以致阴极有缺陷的装置全部被视为不良品。本发明的电致发光显示装置是将阴极膜厚制成2000 ～10000 ，通过将膜厚加大来填补蒸镀制造过程中的灰尘或空穴输送层的伤痕，减少阴极的缺陷。而且只要将Al层的膜厚加大即可，因此具有不需增加特别材料或制造过程就可降低缺陷的有利点。
-
公开(公告)号：CN1395138A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02125163.0
申请日：2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 菱田光起
IPC: G02F1/1343 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C14/5806 , C23C8/10 , C23C14/086 , H01L51/5206
Abstract: 本发明提供一种蚀刻率较高且为低电阻的高透光率的ITO膜。在常温及添加水份的环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜，成膜后，进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。添加水份环境设为使成膜室内的水份总分压约为8.2×10－3帕以下，而在后续的退火过程发挥膜质改善效果，并且，通过使成膜室内的水份总分压为3.20×10－3帕以上，则可形成非晶质性的ITO膜，而在成膜后可迅速进行蚀刻处理。成膜后(图案化后)的热处理优选以约180℃以上(例如约220℃)的温度进行约1小时以上(例如约1小时～约3小时)为条件，由此，膜片将被多晶化，得到低电阻且高透光率的ITO膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.021 seconds)
