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公开(公告)号:CN1786830A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510131034.5
申请日:2005-12-07
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor: 八木巧司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G02B5/20
CPC classification number: G03F7/0007 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂图案形成方法。在已形成了CCD图像传感器的基本结构的半导体基板(60)上涂敷彩色抗蚀剂,形成抗蚀剂膜(62)。进而在该抗蚀剂膜(62)上成膜升华防止膜(64)。以使升华防止膜(64)具有阻止包含于抗蚀剂膜(62)的颜料等向外部升华的功能的方式选择材料及厚度。将已形成升华防止膜(64)的半导体基板(60b)载置于曝光装置中,通过光掩膜(66)照射紫外线,进行抗蚀剂(62)的曝光。通过曝光后进行的抗蚀剂膜(62)的显影处理除去升华防止膜(64)。因此,可以防止在用彩色抗蚀剂形成固体摄像元件的彩色滤光器之际、在曝光时颜料从抗蚀剂升华并附着在曝光装置内的现象。
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公开(公告)号:CN1581499A
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN200410069885.7
申请日:2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种可以提高受光度的固体摄像装置的制造方法。本发明的固体摄像装置的制造方法具有:在受光区域L与非受光区域B上形成绝缘膜(21)的工序;及在受光区域L上的绝缘膜上形成透镜形成用的掩模图案(23),在非受光区域(B)上的绝缘膜(21)上形成透镜形成用的伪掩模图案(23d)的工序;将掩模图案(23)与伪掩模图案(23d)作为掩模,对绝缘膜(21)进行蚀刻,以在绝缘膜(21)上形成多个凸起部的工序;在绝缘膜(21)上形成第一透镜膜(24)的工序;在第一透镜膜(24)上形成比其蚀刻率低的平坦化膜(25)的工序;对第一透镜膜(24)及平坦化膜(25)进行深腐蚀的工序;和在第一透镜膜(24)上形成第二透镜膜(26)的工序。
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公开(公告)号:CN101339265B
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200810128889.6
申请日:2008-06-24
IPC: G02B5/23 , G02F1/1335 , H01L27/14
Abstract: 采用透过颜色不同的多种光透过膜为RGB传感器的多个受光元件分别制造彩色滤光片。此时,先前某受光元件上形成的光透过膜的图案如果有直角部分,接着涂敷的光透过膜不能均匀地在半导体晶片的整体上扩展,容易发生涂敷不均匀。为解决这个问题,使得先形成的光透过膜的图案作为具有角切除部分的平面形状,而不产生直角部分。
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公开(公告)号:CN101339265A
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200810128889.6
申请日:2008-06-24
IPC: G02B5/23 , G02F1/1335 , H01L27/14
Abstract: 采用透过颜色不同的多种光透过膜为RGB传感器的多个受光元件分别制造彩色滤光片。此时,先前某受光元件上形成的光透过膜的图案如果有直角部分,接着涂敷的光透过膜不能均匀地在半导体晶片的整体上扩展,容易发生涂敷不均匀。为解决这个问题,使得先形成的光透过膜的图案作为具有角切除部分的平面形状,而不产生直角部分。
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公开(公告)号:CN100383977C
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200410069885.7
申请日:2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种可以提高受光度的固体摄像装置的制造方法。本发明的固体摄像装置的制造方法具有:在受光区域L与非受光区域B上形成绝缘膜(21)的工序;及在受光区域L上的绝缘膜上形成透镜形成用的掩模图案(23),在非受光区域(B)上的绝缘膜(21)上形成透镜形成用的伪掩模图案(23d)的工序;将掩模图案(23)与伪掩模图案(23d)作为掩模,对绝缘膜(21)进行蚀刻,以在绝缘膜(21)上形成多个凸起部的工序;在绝缘膜(21)上形成第一透镜膜(24)的工序;在第一透镜膜(24)上形成比其蚀刻率低的平坦化膜(25)的工序;对第一透镜膜(24)及平坦化膜(25)进行深腐蚀的工序;和在第一透镜膜(24)上形成第二透镜膜(26)的工序。
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