公开(公告)号：CN119301831A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202280096654.1

申请日：2022-05-31

Applicant: 三樱工业株式会社

Inventor： 斯里尼瓦斯·甘德罗图拉

IPC: H01S5/183

Abstract: 垂直腔表面发射激光器包括：氧化物基板，其具有第一面和位于第一面相对侧的第二面；设置在第一面上的半导体部分；设置在半导体部分和第一面之间的介电滤光层，且介电滤光层具有被配置为提供光学窗口的；第一DBR镜；以及设置在第二面的弯曲表面处的第二DBR镜。第一DBR镜、半导体部分、介电滤光层、氧化物基板和第二DBR镜沿第一轴向布置以形成扩展腔。半导体部分设置在介电滤光层和第一DBR镜之间，包括p型III族氮化物区域、n型III族氮化物区域以及位于p型和n型III族氮化物区域之间的III族氮化物有源区域。

公开(公告)号：CN118975076A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202280094465.0

申请日：2022-03-31

Applicant: 三樱工业株式会社

Inventor： 斯里尼瓦斯·甘德罗图拉

IPC: H01S5/183

Abstract: 一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)，包括分布式布拉格反射器(DBR)，其包括在第一轴向上交替布置的第一介电层和第二介电层；以及半导体部分，其包括p型III族氮化物区域、III族氮化物区域和位于p型III族氮化物区域和III族氮化物区域之间的III族氮化物有源区域，p型III族氮化物区域、III族氮化物有源区域和III族氮化物区域沿第一轴向排列，III族氮化物区域包括n型III族氮化物区域。半导体部分包括具有周期性一维图案的单片光栅。单片光栅、III族氮化物有源区域和分布式布拉格反射器沿第一轴向布置以形成光学腔。周期性一维图案在与第一轴向相交的第二轴向上延伸。